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    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    FUKUDA, Kenjiro ; SEKITANI, Tsuyoshi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1448-1450
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Inverter Based on Gate-All-Around Silicon-Nanowire MOSFETs Fabricated Using Top-Down Approach.
    Rustagi, S. C. ; Singh, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-11-01), Heft 11, S. 1021-1024
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    1-V Full-Swing Depletion-Load a-In–Ga–Zn–O Inverters for Back-End-of-Line Compatible 3D Integration.
    Chi, Li-Jen ; Yu, Ming-Jiue ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), Heft 4, S. 441-444
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Experimental Proof of the Drain-Side Dielectric Breakdown of HKMG nMOSFETs Under Logic Circuit Operation.
    Kupke, Steve ; Knebel, Steve ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-05-01), Heft 5, S. 430-432
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Vertically Stacked and Independently Controlled Twin-Gate MOSFETs on a Single Si Nanowire.
    Li, Xiang ; Chen, Zhixian ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), Heft 11, S. 1492-1494
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -