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    Three-dimensionally stacked poly-Si TFT CMOS inverter with high quality laser crystallized channel on Si substrate
    Koo, Hyun-Mo ; Lee, Seongjae ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-03-01), S. 372-376
    Online unknown
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    Latch-up effects in CMOS inverters due to high power pulsed electromagnetic interference
    Iliadis, Agis A. ; Kim, Kyechong
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-10-01), S. 1589-1593
    Online unknown
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    CMOS without doping: Multi-gate silicon-nanowire field-effect-transistors
    Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2012
    Online unknown
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    Back gatebias effects on the pull-down transient behavior in an ultra-thin SOI CMOS inverter operating at 300 K and 77 K
    Lee, W.C. ; Sim, Jai-Hoon ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 35 (1992-10-01), S. 1553-1555
    Online unknown
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    Behavior of CMOS inverters at cryogenic temperatures
    Aubin, M.J. ; Cheeke, J.D.N. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 28 (1985-05-01), S. 453-456
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    Fabrication of the buried channel polycrystalline silicon TFT
    Han, Min-Koo ; Park, Cheol-Min
    In: Solid-State Electronics, Jg. 43 (1999-09-01), S. 1785-1789
    Online unknown
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    On the theory of the thermionic emission transistor II. TET as an element of logic circuits
    Luryi, Serge ; Kazarinov, R. F.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 25 (1982-09-01), S. 933-942
    Online unknown
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    High-performance vertically stacked bottom-gate and top-gate polycrystalline silicon thin-film transistors for three-dimensional integrated circuits
    Tsai, Chun-Chien ; Yang, Po-Yu ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 77 (2012-11-01), S. 26-30
    Online unknown
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