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    Low-Voltage-Signaling CMOS Receiver with Dynamic Threshold Control
    Asano, Tanemasa ; Arima, Yutaka ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2088-2088
    Online unknown
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    A 'Self-Body-Biased' SOI MOSFET: A Novel Body-Voltage-Controlled SOI MOSFET for Low Voltage Applications
    Funakoshi, Shichio ; Terauchi, Mamoru
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2014-2019
    Online unknown
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    Impact of Geometrical and Electrical Parameters on Speed Performance Characteristics in Ultimate Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Loussier, X. ; Tintori, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3390-3395
    Online unknown
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    Static NMOS circuits for crossbar architectures using silicon nano-wire technology
    Bindal, Ahmet ; Hamedi-Hagh, Sotoudeh
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-12-05), S. 54-64
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    Investigation of Local Bending Stress Effect on Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Characteristics in Thinned Si Chip for Chip-to-Wafer Three-Dimensional Integration
    Lee, Kang-Wook ; Ji Choel Bea ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-01), S. 04CB11
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    Nanosized-Metal-Grain-Induced Characteristic Fluctuation in 16 nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Digital Circuits
    Cheng, Hui-Wen ; Li, Yiming
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DC22
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    A Variable Channel-Size MOSFET with Lightly Doped Drain Structure
    Ueno, Masashi ; Nakanose, Naoki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-04-01), S. 1763-1763
    Online unknown
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    Random Interface-Traps-Induced Electrical Characteristic Fluctuation in 16-nm-Gate High-κ/Metal Gate Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Device and Inverter Circuit
    Li, Yiming ; Cheng, Hui-Wen
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-04-01), S. 04DC08
    Online unknown
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    On-chip leakage current variation measurement using external-reference-free current-to-time conversion for densely placed MOSFETs.
    Islam, Mahfuzul ; Harada, Shogo
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022-05-15), Heft SC, S. 1-6
    academicJournal
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    Reliable characteristics and stabilization of on-membrane SOI MOSFET-based components heated up to 335 °C
    André, Nicolas ; Udrea, Florin ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2016-12-19), S. 014001-14001
    Online unknown
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    Novel five-state latch using double-peak negative differential resistance and standard ternary inverter
    Shin, Sunhae ; Kyung Rok Kim
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-11), S. 04ED10
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    The role of velocity saturation in the switching delay of an R-C loaded inverter
    Teng Kiat Lee ; Arora, Vijay K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-05-02), S. 1108-1116
    Online unknown
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    Increase in Drive Current by Pt/W Protection on Short-Channel Schottky Source/Drain Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with Metal Gate
    Asada, Masahiro ; Sato, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-09-01), S. 6038-6038
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -