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    Back-End-of-Line Compatible Fully Depleted CMOS Inverters Employing Ge p-FETs and α-InGaZnO n-FETs
    Han, Kaizhen ; Wang, Chengkuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), S. 1488-1491
    Online unknown
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    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
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    academicJournal
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    CMOS Inverter Based on Gate-All-Around Silicon-Nanowire MOSFETs Fabricated Using Top-Down Approach
    Balasubramanian, N. ; Buddharaju, K.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-11-01), S. 1021-1024
    Online unknown
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    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    Yamamoto, Tatsuya ; Ikeda, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), S. 1448-1450
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    A Novel Scheme for Fabricating CMOS Inverters With Poly-Si Nanowire Channels
    Lee, I-Che ; Kuo, Chia-Hao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), S. 833-835
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    Simple Fabrication of a Three-Dimensional CMOS Inverter Using p-Type Poly-Si and n-Type Amorphous Ga–In–Zn–O Thin-Film Transistors
    Kim, Hye-Dong ; Mo, Yeon-Gon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-09-01), S. 1236-1238
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    Design of CMOS Transistors to Maximize Circuit FOM Using a Coupled Process and Mixed-Mode Simulation Methodology
    Chakravarthi, S. ; Venugopal, Ramesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), S. 863-865
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    High-speed performance of 0.35 μm CMOS gates fabricated on low-dose SIMOX substrates with/without an N-well underneath the buried oxide layer
    Okumura, Koichiro ; Kumagai, Kouichi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 17 (1996-03-01), S. 106-108
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    Complementary Two-Dimensional (2-D) FET Technology With MoS2/hBN/Graphene Stack
    Ma, Zichao ; Cristine Jin Estrada ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), S. 1890-1893
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    A high density CMOS inverter with stacked transistors
    Colinge, Jean-Pierre ; Demoulin, E.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 2 (1981-10-01), S. 250-251
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    A High-Gain Inverter With Low-Temperature Poly-Si Oxide Thin-Film Transistors
    Lee, Suhui ; Kim, Hyunho ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-03-01), S. 411-414
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    1-V Full-Swing Depletion-Load a-In–Ga–Zn–O Inverters for Back-End-of-Line Compatible 3D Integration
    Chi, Li-Jen ; Hou, Tuo-Hung ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), S. 441-444
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    p-MOSFET and n-MOSFET prepared by ICP-assisted hot wire implantation doping technique
    Wu, Chia-En ; Chen, Ying-Tsung ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2016, S. 1-1
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    Experimental determination of self-heating in submicrometer MOS transistors operated in a liquid-helium ambient
    Gutierrez-D, Edmundo A. ; Declerck, Gilbert ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 14 (1993-03-01), S. 152-154
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    Stacked MOSFET's in a single film of laser-recrystallized PolySilicon
    Eggermont, G.E.J. ; Lee, K.F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 3 (1982-08-01), S. 191-193
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    A measurement method for the increase of digital switching time due to hot-electron stress
    Pimbley, J.M.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 6 (1985-07-01), S. 366-368
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