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    Refractive index profiles of LiB3O5 waveguides formed by MeV He ion irradiation
    Lu, Fei ; Wang, Ke-Ming ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), S. 3551-3553
    Online unknown
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    Reduction of secondary defects in MeV ion‐implanted silicon by means of ion beam defect engineering
    Liefting, J. R. ; Wang, Zhong-Lie ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 71 (1992-04-15), S. 3780-3784
    Online unknown
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    Temperature and pressure behavior of the emission bands from Mn-, Cu-, and Eu-doped ZnS nanocrystals
    Ding, Kun ; Ma, B. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-04-01), S. 3344-3349
    Online unknown
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    Spectroscopic properties and radiation damage investigation of a diamond based Schottky diode for ion-beam therapy microdosimetry
    Marinelli, Marco ; Grilj, Veljko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-11-14), S. 184503-184503
    Online unknown
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    Using point defect engineering to reduce the effects of energy nonmonochromaticity of B ion beams on shallow junction formation
    Chu, Wei-Kan ; Shao, Lin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-07-01), S. 919-921
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    Low-loss optical planar waveguides in YVO4 produced by silicon ion implantation at low doses
    Nie, Rui ; Wang, Ke-Ming ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-10-01), S. 4708-4710
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    He+–ion irradiation effect on intersubband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
    Berhane, Y. ; Manasreh, M. O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-15), S. 3517-3519
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    A study of metal‐oxide‐semiconductor capacitors fabricated on SF6and SF6+Cl2reactive‐ion‐etched Si
    Lora-Tamayo, Emilio ; Arias, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 71 (1992-03-15), S. 2710-2716
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    Detection of high-energy heavy ions using piezoelectric lead zirconate titanate
    Miyachi, Takashi ; Shin Ya Morinaga ; et al.
    In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jg. 105 (2009-04-01), Heft 8
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    Annealing characteristics and electrical properties of 1‐MeV arsenic‐ion‐implanted layers in silicon
    Hasebe, H. ; Nishida, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-12-01), S. 5555-5563
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    Material properties of InP‐on‐Si grown by low‐pressure organometallic vapor‐phase epitaxy
    Tung, Hsin-Han ; Wuu, D. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-02-01), S. 1213-1216
    Online unknown
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    Buried optical waveguides in fused silica by high−energy oxygen ion implantation
    Moutonnet, D. ; Rao, E. V. K.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 46 (1975-02-01), S. 955-957
    Online unknown
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