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    Erratum: Recrystallization of silicon‐on‐sapphire by cw Ar laser irradiation: Comparison between the solid‐ and the liquid‐phase regimes
    Paine, B. M. ; Gat, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 38 (1981-04-15), S. 648-648
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of depth profile of defects in ultrathin Si film on buried SiO2 formed by implanted oxygen
    Hamajima, Tomohiro ; Ogura, Atsushi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-09-02), S. 1367-1369
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -