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    Ion-Implanted TiN Metal Gate With Dual Band-Edge Work Function and Excellent Reliability for Advanced CMOS Device Applications
    Xu, Miao ; Zhao, Chao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), S. 4199-4205
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    Advanced source/drain engineering for box-shaped ultrashallow junction formation using laser annealing and pre-amorphization implantation in sub-100-nm SOI CMOS
    Kim, Seong-Dong ; Park, Cheol-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-10-01), S. 1748-1754
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    The investigation of key technologies for sub-0.1-μm CMOS device fabrication
    Jia, Lin ; Zhu, Yajiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), S. 1412-1420
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    A dual-metal gate CMOS technology using nitrogen-concentration-controlled TiNx film
    Kunio, T. ; Saito, Yukishige ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2363-2369
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    Evaluation of high dose, high energy boron implantation into Cz substrates for epi-replacement in CMOS technology
    Rubin, Leonard M. ; Ashton, R.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2043-2049
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    Threshold voltage roll-up/roll-off characteristic control in sub-0.2-μm single workfunction gate CMOS for high-performance DRAM applications
    Sunouchi, Kazumasa ; Rengarajan, Rajesh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002), S. 308-313
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    Impact of CMOS processing steps on the drain current kink of NMOSFETs at liquid helium temperature
    Claeys, C. ; Simoen, Eddy
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-06-01), S. 1207-1215
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    Ultrathin gate oxide grown on nitrogen-implanted silicon for deep submicron CMOS transistors
    Jong Duk Lee ; Kim, Young-Wug ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2310-2316
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    High-performance logic and high-gain analog CMOS transistors formed by a shadow-mask technique with a single implant step
    Hoyniak, D. ; Breitwisch, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-09-01), S. 1623-1627
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    Recoiled-oxygen-free processing for 1.5 nm SiON gate-dielectric in sub-100-nm CMOS technology
    Togo, M. ; Kimura, Shigeru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-07-01), S. 1165-1171
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    A low-resistance self-aligned T-shaped gate for high-performance sub-0.1-μm CMOS
    Umeda, K. ; Nakamura, Yoshitaka ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-06-01), S. 951-956
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    EXTIGATE: The ultimate process architecture for submicron CMOS technologies
    Kerber, Martin ; Jacobs, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997), S. 2070-2077
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    Low-resistance self-aligned Ti-silicide technology for sub-quarter micron CMOS devices
    Matsuki, T. ; Kunio, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-06-01), S. 932-939
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    Gate engineering for deep-submicron CMOS transistors
    Ju, Dong-Hyuk ; Yu, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-06-01), S. 1253-1262
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    A very small bipolar transistor technology with sidewall polycide base electrode for ECL-CMOS LSIs
    Kiyota, Yukihiro ; Kure, Tokuo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996), S. 1357-1363
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    Suppression of parasitic bipolar action in ultra-thin-film fully-depleted CMOS/SIMOX devices by Ar-ion implantation into source/drain regions
    Tsuchiya, Toshiaki ; Takahashi, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-05-01), S. 1071-1076
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    Advantages of LDD-only implanted fluorine with submicron CMOS technologies
    Lin, Der-Gao ; Rost, T.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-03-01), S. 388-394
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    0.3-μm mixed analog/digital CMOS technology for low-voltage operation
    Nagai, R. ; Nishida, Takashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994), S. 1837-1842
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    Oxygen implantation to suppress parasitic bipolar action in CMOS
    S. Simon Wong ; Ratanaphanyarat, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991), S. 355-364
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    Electrical properties of Si p/sup +/-n junctions for sub-0.25 mu m CMOS fabricated by Ga FIB implantation
    Steckl, Andrew J. ; Ganin, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993), S. 1823-1829
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