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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
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    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor.
    Meng, Xiao ; Stefanov, Konstantin D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1107-1113
    Online academicJournal
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    Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications.
    Segmanovic, Filip ; Meinhardt, Gerald ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 2367-2374
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Effect Responses of Integrated Planar Inductors in 65-nm CMOS.
    Biereigel, Stefan ; Kulis, Szymon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2587-2597
    Online academicJournal
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    A Single-Event Transient-Tolerant High-Frequency CMOS Quadrature Phase Oscillator.
    Jagtap, Sharayu ; Anmadwar, Saurabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 2072-2079
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Durnez, Clementine ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 92-100
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Responses of Metal–Oxide–Metal Capacitors and Diodes Used in Bulk 65-nm CMOS Analog Circuits.
    Xu, Rui ; Hsu, Chen-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 698-707
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Quadruple Well CMOS MAPS With Time-Invariant Processor Exposed to Ionizing Radiation and Neutrons.
    Ratti, Lodovico ; Traversi, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1763-1771
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
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    Modeling Charge Loss in CMOS MAPS Exposed to Non-Ionizing Radiation.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2574-2582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS Differential and Amplified Dosimeter with Field Oxide N-Channel MOSFETs.
    Carbonetto, S. ; GarcianInza, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3466-3471
    Online academicJournal
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    Characterization of the Photon Counting CHASE Jr., Chip Built in a 40-nm CMOS Process With a Charge Sharing Correction Algorithm Using a Collimated X-Ray Beam.
    Krzyzanowska, A. ; Deptuch, G. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2561-2568
    Online academicJournal
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    Multi-MGy Radiation Hard CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests.
    Goiffon, Vincent ; Corbiere, Franck ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2956-2964
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3331-3340
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    Mechanisms of Noise Degradation in Low Power 65 nm CMOS Transistors Exposed to Ionizing Radiation.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3071-3077
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    Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Damage Mechanisms and Their Effects on Noise Sources in a 90 nm CMOS Technology.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3272-3279
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    The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of 65 nm RF-CMOS on SOI.
    Madan, Anuj ; Verma, Rohan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3256-3261
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    TID Effects in Deep N-Well CMOS Monolithic Active Pixel Sensors.
    Ratti, Lodovico ; Andreoli, Claudio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 2124-2131
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    Investigating Degradation Mechanisms in 130 nm and 90 nm Commercial CMOS Technologies Under Extreme Radiation Conditions.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-01), Heft 4, S. 1992-2000
    Online academicJournal
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