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    CMOS Differential and Amplified Dosimeter with Field Oxide N-Channel MOSFETs
    Carra, M. J. ; L. Sambuco Salomone ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), S. 3466-3471
    Online unknown
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
    Ratti, Lodovico ; Manazza, Alessia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4526-4532
    Online unknown
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    Investigating Degradation Mechanisms in 130 nm and 90 nm Commercial CMOS Technologies Under Extreme Radiation Conditions
    Ratti, Lodovico ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-01), S. 1992-2000
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    TID-Induced Degradation in Static and Noise Behavior of Sub-100 nm Multifinger Bulk NMOSFETs
    Manghisoni, Massimo ; Traversi, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), S. 776-784
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Dose Enhancement Effects in MOSFET IC's Exposed in Typical 60Co Facilities
    Vehar, David W. ; Dozier, C. M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 30 (1983), S. 4388-4393
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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