Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
57 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

57 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL.
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1861-1868
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    High-Voltage CMOS Active Pixel Sensor Chip With Counting Electronics for Beam Monitoring.
    Weber, Alena ; Ehrler, Felix ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1288-1298
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS.
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 1414-1422
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Single-Event Effect Responses of Integrated Planar Inductors in 65-nm CMOS.
    Biereigel, Stefan ; Kulis, Szymon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2587-2597
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Single-Event Latchup in a CMOS-Based ASIC Using Heavy Ions, Laser Pulses, and Coupled Simulation.
    Mauguet, M. ; Andrianjohany, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1516-1522
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Body-Biasing Technique for Single-Event Transient Mitigation in 28-nm Bulk CMOS Process.
    Liu, Jingtian ; Liang, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2717-2723
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Dark Current Spectroscopy in Neutron, Proton and Ion Irradiated CMOS Image Sensors: From Point Defects to Clusters.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 27-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Pulse Quenching and Charge-Sharing Effects on Heavy-Ion Microbeam Induced ASET in a Full-Custom CMOS OpAmp.
    Fontana, Andres ; Pazos, Sebastian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1473-1482
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1908-1913
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Experimental Investigation of Single-Event Transient Waveforms Depending on Transistor Spacing and Charge Sharing in 65-nm CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2136-2143
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Recoil-Ion-Induced Single Event Upsets in Nanometer CMOS SRAM Under Low-Energy Proton Radiation.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-01-15), Heft 1, part 2, S. 654-664
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of Neutron-Induced Displacement Damage on the Multiple Bit Upset Sensitivity of a Bulk CMOS SRAM.
    Gadlage, Matthew J. ; Kay, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2722-2728
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Analysis of Charge Deposition and Collection Caused by Low Energy Neutrons in a 25-nm Bulk CMOS Technology.
    Abe, Shin-ichiro ; Watanabe, Yukinobu
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3519-3526
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 418-425
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization of Digital Single Event Transient Pulse-Widths in 130-nm and 90-nm CMOS Technologies.
    Narasimham, Balaji ; Bhuva, Bharat L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2506-2511
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Single Event Latchup Suppression Technique for COTS CMOS ICs.
    Spratt, James P. ; Pickel, James C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), Heft 6, S. 2219-2224
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Supply Voltage Dependence of Heavy Ion Induced SEEs on 65 nm CMOS Bulk SRAMs.
    Wu, Qiong ; Li, Yuanqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1898-1904
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Physics-Based Engineering Methodology for Calculating Soft Error Rates of Bulk CMOS and SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Integrated Circuits.
    Fulkerson, David E.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-02-02), Heft 1, S. 348-357
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -