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    Probing Dark Current Random Telegraph Signal in a Small Pitch Vertically Pinned Photodiode CMOS Image Sensor After Proton Irradiation.
    Antonsanti, Aubin ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1506-1514
    Online academicJournal
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    Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation.
    Shvetsov-Shilovskiy, Ivan I. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1540-1546
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dark Current Spectroscopy in Neutron, Proton and Ion Irradiated CMOS Image Sensors: From Point Defects to Clusters.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 27-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dark Current Spectroscopy on Alpha Irradiated Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2183-2192
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 245-252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1908-1913
    Online academicJournal
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    Volltext
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    X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices.
    Wang, P. F. ; Zhang, E. X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1519-1524
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4526-4532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Effects in CCD on CMOS Devices: First Analysis of TID and DDD Effects.
    Marcelot, O. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2965-2970
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Degradation of CMOS APS Image Sensors Induced by Total Ionizing Dose Radiation at Different Dose Rates and Biased Conditions.
    Zujun, Wang ; Changju, Liu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 2, S. 527-533
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Impact of Proton Irradiation on the RF Performance of 65 nm SOT CMOS Technology.
    Madan, Anuj ; Phillips, Stanley D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 1914-1924
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    TID Effects in Deep N-Well CMOS Monolithic Active Pixel Sensors.
    Ratti, Lodovico ; Andreoli, Claudio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 2124-2131
    Online academicJournal
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    A 90 nm Bulk CMOS Radiation Hardened by Design Cache Memory.
    Yao, Xiaoyin ; Clark, Lawrence T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2089-2097
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Multilevel RTS in Proton Irradiated CMOS Image Sensors Manufactured in a Deep Submicron Technology.
    Goiffon, V. ; Hopkinson, G. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 2132-2141
    Online academicJournal
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    Bias Dependence of Gate Oxide Degradation of 90 nm CMOS Transistors Under 60 MeV Proton Irradiation.
    David, M. L. ; Simoen, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), Heft 4, S. 1959-1966
    Online academicJournal
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    Proton and \gamma-Rays Irradiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in a 0.18-\mu\m CMOS Image Sensor.
    Martin, E. ; Nuns, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2503-2510
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Gamma and Proton-Induced Dark Current Degradation of 5T CMOS Pinned Photodiode 0.18~\mu\m CMOS Image Sensors.
    Martin, E. ; Nuns, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-20), Heft 1, S. 636-645
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    Displacement Damage Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2872-2877
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    Total Ionizing Dose Versus Displacement Damage Dose Induced Dark Current Random Telegraph Signals in CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3085-3094
    Online academicJournal
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    Radiation Effects on CMOS Image Sensors With Sub-2 \mum Pinned Photodiodes.
    Place, S. ; Carrere, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 909-917
    Online academicJournal
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