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    3D STEM Tomography Based Failure Analysis of 45 nm CMOS Devices : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2008
    Lorut, F. ; Delille, D.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2008, S. 499-504
    Konferenz
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    Dopant Analysis on Advanced CMOS Technologies : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2008
    Siegelin, F. ; Dubotzky, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2008, S. 505-509
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability for Pure CMOS One-Time Programmable Memory Using Gate-Oxide Anti-Fuse (eFuse) : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2008
    Wakai, N.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2008, S. 349-353
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Backside Deprocessing of CMOS SOI Devices for Physical Defect and Failure Analysis : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2003
    Prejean, S. ; Shannon, J.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2003, S. 99-104
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Time-Resolved Optical Measurements from 0.13mum CMOS Technology Microprocessor Using a Superconducting Single-Photon Detector : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2003
    Stellari, F. ; Song, P. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2003, S. 40-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Localization Techniques on a 0.15mum CMOS Device: Charge Pump Failure Analysis : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Pan, H. ; Gibson, T.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 771-776
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Picosecond Imaging Circuit Analysis of Leakage Currents in CMOS Circuits : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Polonsky, S. ; Weger, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 387-390
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Backside Deprocessing With TMAH / IPA as a Sample Preparation Procedure for Failure Analysis : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Prejean, S. ; Bruce, V. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 317-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Failure Analysis of Tungsten Contact Failure in a 0.13 mum CMOS Process : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2002
    Bagchi, S. ; Subramanian, S. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2002, S. 169-172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of CMOS MEMS Technology Scatterings : International symposium for testing and failure analysis
    Latorre, L. ; Beroulle, V. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 373-380
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Successful Failure Analysis Using Front and Backside Fault Localization Techniques on a Deep Sub-micron CMOS Device : International symposium for testing and failure analysis
    Yamada, Y. ; Komoda, H.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 305-312
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Front-End Investigation Over Large Areas by Deprocessing from the Back Side : International symposium for testing and failure analysis
    Zachariasse, F.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 237-242
    Konferenz
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    Failure Analysis of Plasma-Induced Submicron CMOS IC Yield Loss by Backside Photoemission Microscopy : International symposium for testing and failure analysis
    Wu, Z. M. ; Oh, C. K. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2001, S. 109-114
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Application of KOH Electrochemical Etch and Passive Voltage Contrast Techniques to Identify Leaky Gate in Deep Submicron CMOS : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2000
    Chang, F. Y. ; Chan, V.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2000, S. 141-146
    Konferenz
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    Investigation of High Frequency Failures on a 0.35mum CMOS IC : International sumposium for testing and failure analysis
    Kennen, A. ; Guravage, J. F. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 1999, S. 359-364
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    From IDDQ Fault Detection to Defect Localization in Logic CMOS Integrated Circuits: Key Issues : International sumposium for testing and failure analysis
    Perdu, P. ; Desplats, R.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 1999, S. 427-438
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Application of Passive Voltage Contrast (PVC) to Failure Analysis of CMOS LSIs Using Secondary Electron Collection : International sumposium for testing and failure analysis
    Nishikawa, A. ; Kato, N. J. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 1999, S. 239-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Contact Failure Due to Particulate Defect in a 0.13 mum CMOS Process : International symposium for testing and failure analysis; ISTFA 2003
    Bagchi, S. ; Arunachalam, V. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, 2003, S. 206-208
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Passive Voltage Contrast Technique for Rapid In-Line Characterization and Failure Isolation During Development of Deep-Submicron ASIC CMOS Technology : International symposium for testing and failure analysis: ISTFA '98
    Liang, V. ; Sur, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, , S. 221-226
    Konferenz
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    Investigation of High Via Resistance on a 0.25m̆ CMOS ASIC Technology : International symposium for testing and failure analysis: ISTFA '98
    Sur, H. ; Bothra, S. ; et al.
    In: INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE ANALYSIS, , S. 273-278
    Konferenz
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