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    WB-2-1 Gas Source MBE Growth of Tl-Containing Semiconductors and Their Application to Temperature-Insensitive Wavelength Laser Diodes : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 492-496
    Konferenz
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    FB-1-3 Wavelength Elongation of MBE Grown (Ga)InAs QDs by GaInAsSb Cover Layer : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 683-686
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    WP-6 GaAsSb-Based HBTs Grown by Production MBE System : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 338-341
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    WP-38 Evolution of Cross-Sectional Structures during Selective MBE Growth of InGaAs Hexagonal Nanowire Networks on InP(001) and (111)B Substrates : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 450-453
    Konferenz
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    WP-8 Strain Relaxation and Dislocation Filtering in Metamorphic HBT and HEMT Structures Grown on GaAs Substrates by MBE : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 346-349
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    WP-7 Multiwafer Solid Source Phosphorus MBE on InP for DHBTs and Aluminum Free Lasers : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 342-345
    Konferenz
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    TP-9 Characterization of As-P Interface-Sensitive GaInP/GaAs Structure Grown in a Production MBE System : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 159-162
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    TuB-1-5 Ultra Low Background InGaAs Epi-layer on InP for PIN Applications by Production MBE : 2004 international conference on indium phosphide and related materials: 16th IPRM
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, 2004, S. 48-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of Low-Frequency Excess Noise Transport in Ga-Face and N-Face GaN Thin Films Grown on Intermediate-Temperature Buffer Layer by RF-MBE : International symposium on blue lasers and light emitting diodes
    Fong, W. K. ; Leung, B. H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI A APPLIED RESEARCH, Jg. 192 (2002), Heft NO 2, S. 466-471
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Filtering Study of Threading Dislocations in AlN Buffered MBE GaN/Sapphire Using Single and Multiple High Temperature AlN Intermediate Layers : International symposium on blue lasers and light emitting diodes
    Ponce, A. ; Sanchez, A. M. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI A APPLIED RESEARCH, Jg. 192 (2002), Heft NO 2, S. 424-429
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Improved Responsivity of AlGaN-Based Resonant Cavity-Enhanced UV Photodetectors Grown on Sapphire by RF-MBE : International symposium on blue lasers and light emitting diodes
    Yonemaru, M. ; Kikuchi, A. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI A APPLIED RESEARCH, Jg. 192 (2002), Heft NO 2, S. 292-295
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nitride RCLEDs Grown by MBE for POF Applications (invited) : International symposium on blue lasers and light emitting diodes
    Calle, F. ; Naranjo, F. B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI A APPLIED RESEARCH, Jg. 192 (2002), Heft NO 2, S. 277-285
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdSe Layers on GaAs(111)-A and -B Substrates : International symposium on blue lasers and light emitting diodes
    Suzuki, S. ; Nemoto, T. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI A APPLIED RESEARCH, Jg. 192 (2002), Heft NO 1, S. 195-200
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth and Characterization of SiGe Layers on Ge-Lattice-Matched Substrates by MBE for Long Wavelength Optical Devices : Lasers & electro-optics
    Kuo, Y. H.
    In: CLEO -CONFERENCE, Jg. 3 (2005), S. 2137-2139
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Surface Emission from MBE and MOVPE Grown Quantum Cascade Lasers : Lasers & electro-optics
    Schrenk, W.
    In: CLEO -CONFERENCE-, Jg. 1 (2005), S. 257-259
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Second-Harmonic Generation in GdxY~1-xCa~4(BO~3)~3 Thin Films Grown by Combinatorial Laser MBE : Lasers and electro-optics; CLEO/Pacific Rim 2001
    Kim, T. W. ; Arai, N. ; et al.
    In: CLEO PACIFIC RIM, Jg. 2 (2001), S. II
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Optical Nonlinearity and Response Time in Beryllium-Doped Standard Temperature MBE Grown GaAs/AlAs MQW : Lasers and electro-optics; CLEO/Pacific Rim 2001
    Okuno, T. ; Masumoto, Y. ; et al.
    In: CLEO PACIFIC RIM, Jg. 1 (2001), S. I
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Carrier Lifetime of Low-Temperature Grown GaAs Measured by Pump-Probe Spectroscopy: Effect of Arsenic Pressure during MBE Crystal Grownth : Lasers and electro-optics; CLEO/Pacific Rim 2001
    Yano, R. ; Hirayama, Y. ; et al.
    In: CLEO PACIFIC RIM, Jg. 1 (2001), S. I
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Parallel Fabrication of Lattice Engineered Materials by Combinatorial Laser MBE : Lasers and electro-optics; CLEO/Pacific Rim 2001
    Koinuma, H.
    In: CLEO PACIFIC RIM, Jg. 1 (2001), S. I
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    InGaP/InGaAs/GaAs Pseudomorphic HEMT Grown by Solid Source MBE : High performance electron devices for microwave and optoelectronic applications
    Aziz, A. A. ; Missous, M.
    In: HIGH PERFORMANCE ELECTRON DEVICES FOR MICROWAVE AND OPTOELECTRONIC APPLICATIONS WORKSHOP, , S. 145-152
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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