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    Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO2/Al2O3 stacks
    B. W. H. van de Loo ; Isabella, Olindo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-06-27), Heft 26
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    Nanoscale organic transistors that use source/drain electrodes supported by high resolution rubber stamps
    Bao, Zhenan ; Rogers, John A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-02-03), S. 793-795
    Online unknown
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    Large area, high resolution, dry printing of conducting polymers for organic electronics
    Gao, Feng ; Blanchet, Graciela B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-01-20), S. 463-465
    Online unknown
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    Generating femtosecond X-ray pulses using an emittance-spoiling foil in free-electron lasers
    Krejcik, Patrick ; Marinelli, Agostino ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-11-09), S. 191104-191104
    Online unknown
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    Additive, nanoscale patterning of metal films with a stamp and a surface chemistry mediated transfer process: Applications in plastic electronics
    Willett, R. L. ; Loo, Yueh-Lin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-07-15), S. 562-564
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    Anomalous multiplication in Hg0.56Cd0.44Te avalanche photodiodes
    Yen, H. ; Tangonan, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 61 (1992-12-14), S. 2878-2880
    Online unknown
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    Single-cycle terahertz pulses with >0.2 V/Å field amplitudes via coherent transition radiation
    Goodfellow, John ; Reis, David A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-10-03), S. 141117-141117
    Online unknown
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    Solvent-dependent electrical characteristics and stability of organic thin-film transistors with drop cast bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene
    Gomez, Enrique D. ; Chang Su Kim ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-09-08), S. 103302-103302
    Online unknown
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    Large-area patterning of a solution-processable organic semiconductor to reduce parasitic leakage and off currents in thin-film transistors
    Chen, Shaochen ; Han, Li-Hsin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-11), S. 244103-244103
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    Influence of dislocations in strained Si∕relaxed SiGe layers on n+∕p-junctions in a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology
    Delhougne, Romain ; Eneman, Geert ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-07), S. 192112-192112
    Online unknown
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    Athermal germanium migration in strained silicon layers during junction formation with solid-phase epitaxial regrowth
    Posselt, Matthias ; Delhougne, Romain ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-02-21), S. 081915-81915
    Online unknown
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    Spiral hollow cathode plasma‐assisted diamond deposition
    Loo, B. H. ; Legg, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 53 (1988-12-05), S. 2326-2327
    Online unknown
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