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    Study of LWIR and VLWIR Focal Plane Array Developments: Comparison Between p-on-n and Different n-on-p Technologies on LPE HgCdTe
    Largeron, C. ; Deborniol, E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-05-07), S. 1733-1740
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    Composition and thickness control of thin LPE HgCdTe layers using x-ray diffraction
    Tobin, S. P. ; Norton, Peter W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-06-01), S. 781-791
    Online unknown
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    LPE HgCdTe on sapphire status and advancements
    Hess, K. L. ; Haines, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-06-01), S. 560-565
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    Advances in composition control for 16 µm LPE P-on-n HgCdTe heterojunction photodiodes for remote sensing applications at 60K
    Parodos, T. ; Norton, Peter W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-06-01), S. 596-602
    Online unknown
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    Spectral characteristics of GaAs solar cells grown by LPE
    Smekalin, K. ; Mintairov, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999), S. 35-38
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    Key performance-limiting defects in P-on-N HgCdTe LPE heterojunction infrared photodiodes
    List, R. S. ; Chen, M. C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), S. 1375-1382
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    X-ray diffraction characterization of LPE HgCdTe heterojunction photodiode material
    Tobin, S. P. ; Kestigian, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), S. 959-966
    Online unknown
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    Growth and evaluation of lpe graded composition AlxGa1−xAs layers for high efficiency graded bandgap solar cells
    Eisen, F. H. ; Harris, James S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 6 (1977-11-01), S. 645-658
    Online unknown
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    Measured compositions and laser emission wavelengths of GaXIn1−XAsyP1−y lpe layers lattice-matched TO InP Substrates
    Hsieh, J. J.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978), S. 31-37
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    Green emitting Zn-diffused LPE GaP diodes
    Herzog, A. H. ; McLain, H. F.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 3 (1974-02-01), S. 265-277
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    Lpe highly perfect ingaasp/lnp structure characterization by x-ray double crystal diffractometry
    Bocchi, C. ; Ferrari, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 16 (1987-07-01), S. 245-250
    Online unknown
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    Optically pumped LPE-grown Hg1−xCdxTe lasers
    Harman, T. C.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 8 (1979-03-01), S. 191-200
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    Selective LPE-growth of ln0.53Ga0.47As on semi-insulating InP
    Schilling, M ; F J Tegude ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-09-01), S. 259-262
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    The Effect of Liquid Media on the Efficiency of Graphene Production by Liquid-Phase Exfoliation from Micromechanically Pre-exfoliated Graphite
    Sönmez, Ali ; Güler, Ömer
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-06-17), S. 5335-5345
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    Gallium Phosphide Solar Cell Structures with Improved Quantum Efficiencies
    Bunk, Ryan ; Siao, Hui-Ying ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2019-12-01), S. 3435-3440
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    Effects of Growth Temperature on Morphology of GaN Crystals by Na Flux Liquid Phase Epitaxial Method
    Li, Zhenrong ; Hao, Hangfei ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-03-11), S. 3570-3578
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    Latest Developments in Long-Wavelength and Very-Long-Wavelength Infrared Detection with p-on-n HgCdTe
    Mollard, L. ; Zanatta, J. P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-06-18), S. 3144-3150
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    Development of MBE HgCdTe for HDVIP® Focal-Plane Arrays
    Harris, Fred ; Aqariden, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-06-13), S. 3102-3107
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    Status of p-on-n Arsenic-Implanted HgCdTe Technologies
    Barnes, Jean-Paul ; Ferron, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40 (2011-06-22), S. 1830-1839
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    Characterization of HgCdTe MWIR Back-Illuminated Electron-Initiated Avalanche Photodiodes
    Parodos, T. ; Williams, G.M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 37 (2008-03-22), S. 1376-1386
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