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    A general approach for high yield fabrication of CMOS-compatible all-semiconducting carbon nanotube field effect transistors
    Islam, Muhammad R. ; Khondaker, Saiful I. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-03-09), Heft 12
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Reliable fabrication of sub-10 nm silicon nanowires by optical lithography
    O'Neill, Anthony ; King, Peter J. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-09-09), Heft 42
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of sub-10 nm metal nanowire arrays with sub-1 nm critical dimension control
    Lin, Peng ; Pi, Shuang ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-10-17), S. 464004-464004
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Local-gated single-walled carbon nanotube field effect transistors assembled by AC dielectrophoresis
    Khondaker, Saiful I. ; Stokes, Paul
    In: Nanotechnology, Jg. 19 (2011-08-10), Heft 17
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Sequential reduction of the silicon single-electron transistor structure to atomic scale
    Trifonov, Artem S. ; Presnov, Denis E. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-04-20), Heft 22
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Periodic arrays of deep nanopores made in silicon with reactive ion etching and deep UV lithography
    Jansen, Henri ; Vos, Willem L. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 19 (2011-08-06), Heft 14
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Towards the next node in downsized devices
    Demming, Anna
    In: Nanotechnology, Jg. 21 (2010-02-20), Heft 10
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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