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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors
    Novoselov, A. S. ; Masalsky, N. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 278-285
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu.V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), S. 214-223
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
    Online unknown
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 394-401
    Online unknown
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
    Online unknown
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    320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes
    A. Yu. Nikiforov ; Belin, A. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-12-01), S. 474-477
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    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stepanov, Pavel ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), S. 368-379
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    Simulation of the characteristics of the DICE 28-nm CMOS cells in unsteady states caused by the effect of single nuclear particles
    V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), S. 324-334
    Online unknown
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    Modeling the characteristics of trigger elements of two-phase CMOS logic, taking into account the charge sharing effect under exposure to single nuclear particles
    V. Ya. Stenin ; Stepanov, Pavel ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), S. 112-124
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests
    Mavritskii, O. B. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), S. 33-39
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation of the possibility to develop radiation-hardness LSIs for navigational purposes according to the 0.35-μm domestic CMOS SOI technology
    Nazarova, G. N. ; Titarenko, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 266-277
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Simulation of the local effect of nuclear particles on 65-nm CMOS DICE memory cells
    V. Ya. Stenin ; Stepanov, P. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 231-238
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Optimization of parameters of double-gate sub-20 nanometers SOI CMOS transistors with architecture 'without overlapping'
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012), S. 51-58
    Online unknown
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