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    Electron Injection Improvement of n-Type Organic Field-Effect Transistors With Indium Contact Interlayer
    Huang, Fanming ; Chu, Junhao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2440-2446
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    MoO2 Sacrificial Layer for Optimizing Back Contact Interface of Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells
    Xu, Bin ; Lu, Xiaoshuang ; et al.
    In: IEEE Journal of Photovoltaics, Jg. 10 (2020-07-01), S. 1191-1200
    Online unknown
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    Wrinkled Single-Crystalline Germanium Nanomembranes for Stretchable Photodetectors
    Di, Zengfeng ; Mei, Yongfeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 1985-1990
    Online unknown
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    600 V/ $1.7~\Omega$ Normally-Off GaN Vertical Trench Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor
    Chen, Mary ; Li, Ray ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1466-1469
    Online unknown
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    An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology
    Chen, Mary ; Li, Ray ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-03-01), S. 269-271
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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