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    Influence of dislocation density on carrier injection in InGaN/GaN light-emitting diodes operated with alternating current
    Han, Sang-Heon ; Dong Ju Lee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-01-07), S. 011115-11115
    Online unknown
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    Temperature dependent efficiency droop in GaInN light-emitting diodes with different current densities
    Seung Jae Oh ; E. Fred Schubert ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-02-20), S. 081106-81106
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Use of patterned laser liftoff process and electroplating nickel layer for the fabrication of vertical-structured GaN-based light-emitting diodes
    Chen, Chao-Hsuing ; Liou, Bor-Wen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-07-04), S. 011111-11111
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening
    Zhang, Yun ; Hou, Mengjun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), S. 011102-11102
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Method for determining the radiative efficiency of GaInN quantum wells based on the width of efficiency-versus-carrier-concentration curve
    E. Fred Schubert ; Cho, Jaehee ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-12-10), S. 241104-241104
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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