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    Reliability-Enhanced Separated Pre-Charge Sensing Amplifier for Hybrid CMOS/MTJ Logic Circuits
    Zhao, Weisheng ; Zhang, Youguang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 53 (2017-09-01), S. 1-5
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    Comparative Analysis of MTJ/CMOS Hybrid Cells Based on TAS and In-Plane STT Magnetic Tunnel Junctions
    Raphael Martins Brum ; Jovanovic, Bojan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-02-01), S. 1-11
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    Rectangular cmos differential MAGFET biosensor for magnetic particle detection
    Li, Zhenyu ; Korman, Can E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 49 (2013-07-01), S. 4052-4055
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    Integration of Magnetoresistive Biochips on a CMOS Circuit
    Germano, J. ; Cardoso, Susana ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 48 (2012-11-01), S. 3784-3787
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    High Speed, High Stability and Low Power Sensing Amplifier for MTJ/CMOS Hybrid Logic Circuits
    Javerliac, Virgile ; Chappert, Claude ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 45 (2009-10-01), S. 3784-3787
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    Design, Fabrication, and Characterization of a 3-D CMOS Fluxgate Magnetometer
    Lu, Chih-Cheng ; Huang, Wen-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 47 (2011-10-01), S. 3752-3755
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    Evaluation of Thin Film Noise Suppressor Applied to Noise Emulator Chip Implemented in 65 nm CMOS Technology
    Muroga, Sho ; Endo, Yasushi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 47 (2011-10-01), S. 4485-4488
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    STT-RAM Cell Design Considering CMOS and MTJ Temperature Dependence
    Li, Hai ; Wang, Xiaobin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 48 (2012-11-01), S. 3821-3824
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    Amorphous wire and CMOS IC-based sensitive micromagnetic sensors utilizing magnetoimpedance (MI) and stress-impedance (SI) effects
    Cai, C.M. ; Panina, L.V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 38 (2002-09-01), S. 3063-3068
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Optimization of magnetotransistor structure in CMOS technology
    Smy, T. ; Ristic, L.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 28 (1992-09-01), S. 2024-2030
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Sensitive acceleration sensor using amorphous wire SI element combined with CMOS IC multivibrator for environmental sensing
    Mohri, Kaneo ; Shen, L.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 36 (2000), S. 3667-3669
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    High-Speed, Energy-Efficient Magnetic Nonvolatile Flip-Flop With Self-Adaptive Write Circuit Utilizing Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy
    Xu, Tao ; Deng, Xiaoying
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 57 (2021-05-01), S. 1-8
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    40 nm 1T–1MTJ 128 Mb STT-MRAM With Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design
    Ma, Yitao ; Honjo, Hiroaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 57 (2021-03-01), S. 1-9
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    Fully Nonvolatile and Low Power Full Adder Based on Spin Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction With Spin-Hall Effect Assistance
    Rajaei, Ramin ; Amirany, Abdolah
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 54 (2018-12-01), S. 1-7
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    Proposal for Multi-Gate Spin Field-Effect Transistor
    Wang, Gefei ; Klein, Jacques-Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 54 (2018-11-01), S. 1-5
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    Pure Magnetic Logic Circuits: A Reliability Analysis
    Jamshidi, Vahid ; Fazeli, Mahdi
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 54 (2018-10-01), S. 1-10
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High-Speed, Low-Power, and Error-Free Asynchronous Write Circuit for STT-MRAM and Logic
    Wang, Gefei ; Klein, Jacques-Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-08-01), S. 1-4
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    Transistor-Less Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory Cell Design
    Wang, Weizhong
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 51 (2015-11-01), S. 1-4
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low Power Magnetic Flip-Flop Optimization With FDSOI Technology Boost
    Zhao, Weisheng ; Wang, You ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-08-01), S. 1-7
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    Influence of the Reference Layer Composition on the Back-End-of-Line Compatibility of Co/Ni-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Stacks
    Mertens, Sofie ; Lin, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 52 (2016-07-01), S. 1-4
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