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    Ni(Pt)-silicide contacts on CMOS devices: Impact of substrate nature and Pt concentration on the phase formation
    Descoins, Marion ; Juhel, Marc ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 120 (2014-05-01), S. 34-40
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    CMOS optoelectronic components for clock distribution
    Lear, Kevin L. ; Pownall, R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-10-01), S. 1838-1845
    Online unknown
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    An optimal silicidation technique for electrostatic discharge protection sub-100nm CMOS devices in VLSI circuit
    Yu, Shao-Ming ; Lee, Jam-Wen ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-02-01), S. 213-217
    Online unknown
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    Transmission lines fabricated with CMOS interconnect technology
    Yibin, Zhang ; Jeffrey Su Yong Yong ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 72 (2004-04-01), S. 223-229
    Online unknown
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    NiSi salicide technology for scaled CMOS
    Ohmi, Shun-ichiro ; Ohguro, Tatsuya ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 60 (2002), S. 157-169
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    Deuterium pressure dependence of characteristics and hot-carrier reliability of CMOS devices
    Kuwang Pyuk Suh ; Chen, Zhi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 56 (2001-08-01), S. 353-358
    Online unknown
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    Investigation of iridium as a gate electrode for deep sub-micron CMOS technology
    Pawlak, M. A. ; Vantomme, André ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 70 (2003-11-01), S. 373-376
    Online unknown
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    Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies
    V. Ramgopal Rao ; Dusane, Rajiv O. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2002-07-01, S. 625-629
    Online unknown
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    Turn-around effects during dynamic operation in 0.25μm CMOS technology from low to high temperature
    Vincent, Emmanuel ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 48 (1999-09-01), S. 163-166
    Online unknown
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    The quality of 200 mm diameter epitaxial Si wafers for advanced CMOS technology monitored using synchrotron X-ray topography
    Rantamäki, R. ; McNally, Patrick J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 45 (1999-02-01), S. 47-56
    Online unknown
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    Understanding the limits of ultrathin SiO2 and SiON gate dielectrics for sub-50 nm CMOS
    Green, Martin L. ; Weir, B. E. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 48 (1999-09-01), S. 25-30
    Online unknown
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    Assessment of oxide reliability and hot carrier degradation in CMOS technology
    Groeseneken, Guido ; J. De Blauwe ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 40 (1998-11-01), S. 147-166
    Online unknown
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    Shallow P+-junction technology for 0.25 μm CMOS
    Woerlee, Pierre H. ; Pomp, H.G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 25-28
    Online unknown
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    Platinum silicide study for submicron CMOS application: Dielectric breakdown of gate oxide and correlation with yield models
    Flowers, Dervin L.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 14 (1991-05-01), S. 87-100
    Online unknown
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    A phyiscal characterization of dynamically stressed CMOS transistors
    G. Dalla Libera ; Bergonzoni, C.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 15 (1991-10-01), S. 453-456
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    DUV lithography for 0.35 μm CMOS processing
    Veerle Van Driessche ; Luc Van den hove ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 27 (1995-02-01), S. 243-246
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Contact cleaning opportunities on single wafer tool
    Buisine, Fabrice ; Broussous, Lucile ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 192 (2018-05-01), S. 8-13
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CdS Thin Film Transistor for Inverter and Operational Amplifier Circuit Applications
    Pieper, Ronald J. ; Mejia, Israel ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 157 (2016-05-01), S. 64-70
    Online unknown
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    Nickel silicide encroachment formation and characterization
    Gregoire, Magali ; S. Del Medico ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-03-01), S. 245-248
    Online unknown
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    Salicides: materials, scaling and manufacturability issues for future integrated circuits (invited)
    Kittl, Jorge A. ; Shiau, W. T. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 50 (2000), S. 87-101
    Online unknown
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