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    Properties and growth peculiarities of Si0.30Ge0.70 stressor integrated in 14nm fin-based p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Mannaert, G. ; Hikavyy, Andriy ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 602 (2016-03-01), S. 72-77
    Online unknown
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    Growth of high Ge content SiGe on (110) oriented Si wafers
    Bender, Hugo ; Vincent, Benjamin ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-02-01), S. 3179-3184
    Online unknown
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    The implant-free quantum well field-effect transistor: Harnessing the power of heterostructures
    Waldron, Niamh ; Hikavyy, Andriy ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-02-01), S. 3326-3331
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Short-channel epitaxial germanium pMOS transistors
    Loo, Roger ; K. De Meyer ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 518 (2010), S. S88- (4S.)
    Online unknown
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    pMOS transistor with embedded SiGe: Elastic and plastic relaxation issues
    Loo, Roger ; Clemente, Francesca ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2008-11-01), S. 113-116
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Polymeric nanocoatings by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD)
    Loo, Leslie S. ; Murthy, Shashi K. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 501 (2006-04-01), S. 211-215
    Online unknown
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    High quality, relaxed SiGe epitaxial layers for solar cell application
    Said, Khalid ; Caymax, Matty ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 337 (1999), S. 85-89
    Online unknown
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    The vertical heterojunction MOSFET
    Caymax, Matty ; Loo, Roger ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 336 (1998-12-01), S. 299-305
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Color-sensitive photodetector based on porous silicon superlattices
    Reetz, W. ; Hilbrich, S. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 297 (1997-04-01), S. 241-244
    Online unknown
    Zugriff:
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