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    Ultrathin Interfacial Layer (UTIL) Formation and Its Application in HKMG for Advance CMOS Technology
    Ni, Jinghua ; Wu, Jingang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 60 (2014-02-27), S. 681-685
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    (Invited) The Materials Integration of Ge and InxGa1-X As on Si Template for Next Generation CMOS Applications
    Yueh Chin Lin ; Shih Hsuan Tang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 53 (2013-05-03), S. 59-67
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    Wafer Level Statistical Evaluation of the Proton Radiation Hardness of a High-k Dielectric/Metal Gate 45 nm Bulk CMOS Technology
    Simoen, Eddy ; Claeys, C. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 213-222
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    The Integration of Ge and III-V Materials on GaAs and Si for Post CMOS Applications
    Ching Yi Hsu ; Edward Yi Chang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 44 (2012-03-16), S. 715-720
    Online unknown
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    (Invited) Issues on Interfacial Oxide Layer (IL) in EOT Scaling of High-k/Metal Gate CMOS for 22nm Technology Node and Beyond
    Kirsch, Paul D. ; Chang Seo Park
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 45-52
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    Atomic Layer Deposited Lanthanum-(Zirconate/Aluminate) Based High-K Dielectric Stacks For Future CMOS-Technology
    Abermann, S. ; Bethge, Ole ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 273-283
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    Atomic Layer Deposited HfO2 and HfSiO to Enable CMOS Gate Dielectric Scaling, Mobility, and VTH Stability
    Byoung Hun Lee ; Bersuker, Gennadi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 1 (2006-07-07), S. 15-28
    Online unknown
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    Electrical Isolation of Dislocations in Ge Layers on Si(001) Substrates through CMOS Compatible Suspended Structures
    Richardson-Bullock, James ; Prest, M. J. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 737-746
    Online unknown
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    (Invited) Layer Transfer Technology for Stacked Multi-Channel Semiconductor-on-Insulator Platform
    Lee, Yao-Jen ; Ishii, Hiroyuki ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 102 (2021-05-07), S. 17-26
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    InAs-Channel Metal-Oxide-Semiconductor HEMTs with Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Gate Dielectric
    Wei Ching Huang ; Edward Yi Chang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 87-92
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    Selective Growth of B- and C-doped SiGe Layers in Unprocessed and Recessed Si Openings for pMOSFET Application
    Trybom, Erik ; Radamson, Henry H. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 81-88
    Online unknown
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    Ultra Compact FDSOI Transistors including Strain and Orientation: Processing and Performance
    Perreau, Pierre ; Weber, Olivier ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 19 (2009-05-15), S. 55-64
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    On the Influence of the Position-Dependence of Stress on Device Performance
    Bufler, Fabian M. ; Gautschi, Ralf
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 439-442
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    Low-Temperature Aluminum-Aluminum Wafer Bonding
    Hingerl, Kurt ; Malik, Nishant ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 75 (2016-08-24), S. 15-24
    Online unknown
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    Interfacial Layer Development for 20nm High-k Last Integration Scheme
    Han Jie Gao ; Woei Ji Song ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 60 (2014-02-27), S. 727-731
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    Ultra-High Tensile Stress Capping Layer Using Novel Excimer Laser Annealing Technology for 32nm nMOSFET and Beyond
    Yin, Huaxiang ; Qin, Changliang
    In: ECS Transactions, Jg. 44 (2012-03-16), S. 411-416
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    Optimization of Resist Ash Processes on Si0.45Ge0.55 Substrates for Post Extension-Halo Ion Implantation
    Tsvetanova, Diana ; Mannaert, Geert ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 41 (2011-10-04), S. 283-291
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Simultaneous Optimization of the Material Properties, Uniformity and Deposition Rate of Polycrystalline CVD and PECVD Silicon-Germanium Layers for MEMS Applications
    Rita Van Hoof ; Decoutere, Stefaan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 353-364
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    X-Ray Photoelectron Spectroscopy Estimation of Cobalt Seed Layer Reactivity Toward Air Exposure: A Challenge?
    Lakhdari, Amine ; Mevellec, Vincent ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 97 (2020-04-24), S. 149-156
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    Analysis of the Retention Characteristic in Three dimensional Junction-less Charge Trapping Memory
    Li, Xinkai ; Tang, Zhaoyun ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 72 (2016-05-04), S. 233-238
    Online unknown
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