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    Growth mechanisms of GaN epitaxial films grown on ex situ low-temperature AlN templates on Si substrates by the combination methods of PLD and MOCVD
    Wang, Haiyan ; Wang, Wenliang ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 718 (2017-09-01), S. 28-35
    Online unknown
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    A comparative study on the properties of c-plane and a-plane GaN epitaxial films grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition
    Yang, Weijia ; Zhu, Yunnong ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 128 (2016-06-01), S. 158-165
    Online unknown
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    Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy
    Mutsukura, Nobuki ; Shinoda, Hiroyuki
    In: Vacuum, Jg. 125 (2016-03-01), S. 133-140
    Online unknown
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    MOVPE growth of AlN films on nano-patterned sapphire substrates with annealed sputtered AlN
    Iba, Yukino ; Xiao, Shiyu ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 532 (2020-02-01), S. 125397-125397
    Online unknown
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    Improved crystalline quality of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane patterned sapphire substrate (Conference Presentation)
    Iwaya, Motoaki ; Kamiyama, Satoshi ; et al.
    In: Gallium Nitride Materials and Devices XIII, 2018-03-14
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    Improvement of crystal quality of AlN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AlN/GaN) multi-buffer layer
    Murakawa, K. ; Hasegawa, Fumio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 345-348
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    Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials
    Tang, Zhaosheng ; Yao, Zhenyu ; et al.
    In: Science in China Series E: Technological Sciences, Jg. 43 (2000-12-01), S. 55-59
    Online unknown
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    Growth of high‐quality thick AlGaN by high‐temperature metalorganic vapor phase epitaxy
    Okada, N. ; Sato, S. ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 5 (2008-05-01), S. 1559-1561
    Online unknown
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    New buffer layer technique using underlying epitaxial AlN films for high-quality GaN growth
    Asai, Keiichiro ; Nagai, Teruyo ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 693 (2001)
    Online unknown
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    Properties of GaN Film Grown on AlN/PSS Template by Hydride Vapor Phase Epitaxy
    Kim, Jin-Ho ; Lee, Hae-Yong ; et al.
    In: Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, Jg. 29 (2016-06-01), S. 348-352
    Online unknown
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    Reduction of threading dislocation by recoating GaN island surface with SiN for high‐efficiency GaN‐on‐Si‐based LED
    Yoshida, Hisashi ; Nunoue, Shinya ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 11 (2014-01-28), S. 617-620
    Online unknown
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    Characteristics of epitaxial lateral overgrowth AlN templates on (111)Si substrates for AlGaN deep‐UV LEDs fabricated on different direction stripe patterns
    Takano, Takayoshi ; Hirayama, Hideki ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 9 (2012-02-03), S. 802-805
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    The growth of high-quality and self-separation GaN thick-films by hydride vapor phase epitaxy
    Du, Yanhao ; Wu, Jiejun ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 340 (2012-02-01), S. 18-22
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    High Quality GaN Layers Grown on SiC Substrates with AlN Buffers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    宋京 Song Jing ; 王文新 Wang Wen-xin ; et al.
    In: Chinese Journal of Luminescence, Jg. 32 (2011), S. 896-901
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    X-Ray Studies of GaAs/Si and ZnS/Si
    Moise, P. S. ; Choi, Y. W. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 144 (1988)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Nondestructive Characterization Of MOCVD-Grown GaInAs/GaAs Using Rocking Curve And Topography
    Lau, K M. ; Wie, C. R. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 1988-05-18
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    Improved surface morphology of flow‐modulated MOVPE grown AlN on sapphire using thin medium‐temperature AlN buffer layer
    Miyake, Hideto ; Aoki, Masakazu ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 5 (2008-05-01), S. 1818-1821
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    Influence of Different Interlayers on Growth Mode and Properties of InN by MOVPE
    Ting-Ting, Kang ; Shao-Yan, Yang ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 25 (2008), S. 238-241
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    Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth
    Miyake, Hideto ; Hiramatsu, Kazumasa ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 8 (2011-06-01), S. 2069-2071
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    Improved crystalline quality of N-polar GaN epitaxial layers grown with reformed flow-rate-modulation technology
    Dai, Qian ; Wang, Shuchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2016-11-30), S. 015501-15501
    Online unknown
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