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    Fully depleted CMOS pixel sensor development and potential applications
    2015
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Ion traps fabricated in a CMOS foundry
    2014
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    CMOS-compatible method for doping of buried vertical polysilicon structures by solid phase diffusion
    Shalish, Ilan [Department of Electrical and Computer Engineering, Ben Gurion University of the Negev, Beer-Sheva 8410501 (Israel)]
    2016
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    CMOS-compatible InP/InGaAs digital photoreceiver
    1997
    Online Patent
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    Wie komme ich dran?
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    Buried layer/connecting layer high energy implantation for improved CMOS latch-up
    Wristers, D [Advanced Micro Devices, Austin, TX (United States)]
    1996
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Epi avoidance for CMOS logic devices using MeV implantation
    Daniel, D [Symbios Logic, Inc., Colorado Springs, CO (United States)]
    1996
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Key Technologies for Ultra High Dose CMOS Applications
    Park, J [Varian Korea Ltd., Pyeongtaek-si Kyoungki-do 459-040 (Korea, Republic of)]
    2008
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Ion implantation damage in quarter micron CMOS technology
    Hoepfner, J [and others]
    1996
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Chemical-mechanical polishing of recessed microelectromechanical devices
    Montague, Stephen [Albuquerque, NM]
    1999
    Online Patent
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    Wie komme ich dran?
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    Method for shallow junction formation
    Weiner, Kurt [San Jose, CA]
    1996
    Online Patent
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    Wie komme ich dran?
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    Pt silicide/poly-Si Schottky diodes as temperature sensors for bolometers
    Gaiduk, P. [Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Avenue, 220030 Minsk (Belarus)]
    2015
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Enhanced spectroscopic gas sensors using in-situ grown carbon nanotubes
    Gardner, J. [School of Engineering, University of Warwick, Coventry CV4 7AL (United Kingdom)]
    2015
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    GaSb molecular beam epitaxial growth on p-InP(001) and passivation with in situ deposited Al{sub 2}O{sub 3} gate oxide
    Afanas'ev, V [Katholieke Universiteit Leuven, Celestijnelaan 200D, 3001, Leuven (Belgium)]
    2011
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Thermal resistance of VCSEL's bonded to integrated circuits
    Choquette, K
    1999
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Properties of slow traps of ALD Al{sub 2}O{sub 3}/GeO{sub x}/Ge nMOSFETs with plasma post oxidation
    Takagi, S. [Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan and JST-CREST, K's Gobancho 6F, 7 Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076 (Japan)]
    2016
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Design criteria for XeF{sub 2} enabled deterministic transformation of bulk silicon (100) into flexible silicon layer
    2016
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Junction-less poly-Ge FinFET and charge-trap NVM fabricated by laser-enabled low thermal budget processes
    Huang, Tzu-En [Departments of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan (China)]
    2016
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    DLTS analysis of amphoteric interface defects in high-TiO{sub 2} MOS structures prepared by sol-gel spin-coating
    2015
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low resistivity W{sub x}V{sub 1−x}O{sub 2}-based multilayer structure with high temperature coefficient of resistance for microbolometer applications
    Chaker, Mohamed [INRS-Énergie, Matériaux et Télécommunications, 1650 Boulevard Lionel Boulet, Varennes, Québec J3X 1S2 (Canada)]
    2015
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    BEOL compatible high tunnel magneto resistance perpendicular magnetic tunnel junctions using a sacrificial Mg layer as CoFeB free layer cap
    Furnemont, A. [imec, Kapeldreef 75, Leuven 3001 (Belgium)]
    2015
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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