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    Ultra-broadband THz/IR upconversion and photovoltaic response in semiconductor ratchet-based upconverter.
    Bai, Peng ; Yang, Ning ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-12-13), Heft 24, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Enhanced optical output power of green light-emitting diodes by surface plasmon of gold nanoparticles.
    Cho, Chu-Young ; Lee, Sang-Jun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-01-31), Heft 5, S. 51106-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Enhanced light extraction in light-emitting diodes with photonic crystal structure selectively grown on p-GaN.
    Cho, Chu-Young ; Kang, Se-Eun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-05-03), Heft 18, S. 181110-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Effect of Mg doping in the barrier of InGaN/GaN multiple quantum well on optical power of light-emitting diodes.
    Han, Sang-Heon ; Cho, Chu-Young ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-02-01), Heft 5, S. 51113-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Type-II GaAsSb/InP heterojunction bipolar light-emitting transistor.
    Feng, M. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-06-07), Heft 23, S. 4792-4794
    Online academicJournal
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    Highly efficient polymer light-emitting devices using a phosphorescent sensitizer.
    He, Gufeng ; Chang, Shun-Chi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 81 (2002-08-19), Heft 8, S. 1509-1511
    Online academicJournal
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    Impact of carrier localization on recombination in InGaN quantum wells and the efficiency of nitride light-emitting diodes: Insights from theory and numerical simulations.
    Jones, Christina M. ; Teng, Chu-Hsiang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-09-11), Heft 11, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Monolithic integration of individually addressable light-emitting diode color pixels.
    Chung, Kunook ; Sui, Jingyang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-03-13), Heft 11, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Ultraviolet-enhanced light emitting diode employing individual ZnO microwire with SiO2 barrier layers.
    Xu, Yingtian ; Xu, Li ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 106 (2015-05-25), Heft 21, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Ultraviolet-enhanced light emitting diode employing individual ZnO microwire with SiO<subscript>2</subscript> barrier layers.
    Xu, Yingtian ; Xu, Li ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 106 (2015-05-25), Heft 21, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Phonon-assisted transient electroluminescence in Si.
    Cheng, Tzu-Huan ; Chu-Su, Yu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-06-30), Heft 26, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Surface plasmon-enhanced light-emitting diodes with silver nanoparticles and SiO2 nano-disks embedded in p-GaN.
    Cho, Chu-Young ; Kim, Ki Seok ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-07-25), Heft 4, S. 041107-41107
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    Improvement in carrier transport and recombination of white phosphorescent organic light-emitting devices using a composite blue emitter.
    Lee, Meng-Ting ; Lin, Jin-Sheng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-09-29), Heft 13, S. 133306-133306
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    Dominant ultraviolet light emissions in packed ZnO columnar homojunction diodes.
    Kong, Jieying ; Chu, Sheng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 93 (2008-09-29), Heft 13, S. 132113-132113
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    Effect of InGaN quantum dot size on the recombination process in light-emitting diodes.
    Park, Il-Kyu ; Kwon, Min-Ki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-06-23), Heft 25, S. 253105-253105
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    High efficiency electrophosphorescence device using a thin cleaving layer in an Ir-complex doped emitter layer.
    Yang, Dongfang ; Li, Wenlian ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-06-23), Heft 25, S. 253309-253309
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    Enhanced performance of organic light-emitting diodes with an air-stable n-type hole-injection layer.
    Chu, Ta-Ya ; Kwong, C. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-06-09), Heft 23, S. 233307-233307
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    Low-voltage, high-efficiency blue phosphorescent organic light-emitting devices.
    Lee, Meng-Ting ; Lin, Jin-Sheng ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-04-28), Heft 17, S. 173305-173305
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    Sb-doped p-ZnO/Ga-doped n-ZnO homojunction ultraviolet light emitting diodes.
    Chu, S. ; Lim, J. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-04-14), Heft 15, S. 152103-152103
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    Ultraviolet emission from Sb-doped p-type ZnO based heterojunction light-emitting diodes.
    Mandalapu, L. J. ; Yang, Z. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-03-24), Heft 12, S. 122101-122101
    Online academicJournal
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