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    Masking Noise Pulses When Collecting a Charge from the Tracks of Single Ionizing Particles in a Majority Element Based on CMOS NAND Logic.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-02-01), Heft 1, S. 36-42
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 394-403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), Heft 4, S. 253-263
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests.
    Pechenkin, A. ; Savchenkov, D. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate.
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), Heft 3, S. 214-223
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), Heft 6, S. 381-393
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests
    Mavritskii, O. B. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), S. 33-39
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Simulation the Effects of Single Nuclear Particles on STG RS Triggers with Transistors Spacing into Two Groups
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 407-414
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Simulation of Single Event Effects in STG DICE Memory Cells
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 20-33
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Logical C-Element on STG DICE Trigger for Asynchronous Digital Devices Resistant to Single Nuclear Particles.
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), Heft 3, S. 143-156
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 5, S. 332-344
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    The Element of Matching on an STG DICE Cell for an Upset Tolerant Content Addressable Memory.
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-03-01), Heft 2, S. 142-156
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Simulation of Single Event Effects in STG DICE Memory Cells.
    Katunin, Yu. V. ; Stenin, V. Ya.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 1, S. 20-33
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    A model for the formation of leakage currents in the dielectrics of MOS structures under the effect of heavy charged particles.
    Sogoyan, A. ; Polunin, V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 54-59
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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