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    A Process and Temperature Insensitive CMOS Linear TIA for 100 Gb/s/ $\lambda$ PAM-4 Optical Links.
    Lakshmikumar, Kadaba R. ; Kurylak, Alexander ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-11-01), Heft 11, S. 3180-3190
    Online academicJournal
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    Design of the CMOS inverter‐based amplifier: A quantitative approach.
    Sharroush, Sherif M.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 47 (2019-07-01), Heft 7, S. 1006-1036
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    A 1-mW Class-AB Amplifier With −101 dB THD+N for High-Fidelity 16 $\Omega$ Headphones in 65-nm CMOS.
    Mehta, Nandish ; Huijsing, Johan H. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-04-01), Heft 4, S. 948-958
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High Efficiency D -Band Multiway Power Combined Amplifiers With 17.5–19-dBm Psat and 14.2–12.1% Peak PAE in 45-nm CMOS RFSOI.
    Li, Siwei ; Rebeiz, Gabriel M.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-05-01), Heft 5, S. 1332-1343
    Online academicJournal
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    A 22-nm FDSOI CMOS Low-Noise Active Balun Achieving < −44-dBc HD3 Up To 1.5-V p-p Output Swing Over 0.01–5.4-GHz for Direct RF Sampling Applications.
    Bhat, Anoop Narayan ; van der Zee, Ronan A. R. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-05-01), Heft 5, S. 1432-1445
    Online academicJournal
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    A Skew-Free 10 GS/s 6 bit CMOS ADC With Compact Time-Domain Signal Folding and Inherent DEM.
    Zhu, Shuang ; Xu, Benwei ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 51 (2016-08-01), Heft 8, S. 1785-1796
    Online academicJournal
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    A 21–41-GHz Common-Gate LNA With TLT Matching Networks in 28-nm FDSOI CMOS.
    Lee, Jooeun ; Hong, Songcheol
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1051-1054
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 26–31 GHz Linearized Wideband CMOS LNA Using Post-Distortion Technique.
    Liu, Jiye ; Liu, Shubin ; et al.
    In: IEEE Microwave & Wireless Components Letters, Jg. 32 (2022-09-01), Heft 9, S. 1087-1090
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 54–68 GHz Power Amplifier With Improved Linearity and Efficiency in 40 nm CMOS.
    Mosalam, Hamed ; Xiao, Wenbo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 40-44
    Online academicJournal
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    A +7.6 dBm IIP3 2.4-GHz Double-Balanced Mixer With 10.5 dB NF in 65-nm CMOS.
    Kashani, Milad Haghi ; Asghari, Meysam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 3214-3218
    Online academicJournal
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    A Linear Wideband CMOS Balun-LNA With Balanced Loads.
    Shirmohammadi, Bahareh ; Yavari, Mohammad
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 754-758
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Reconfigurable Inductorless Wideband CMOS LNA for Wireless Communications.
    De Souza, Marcelo ; Mariano, Andre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 675-685
    Online serialPeriodical
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    A 27-mW W -Band Radar Receiver With Effective TX Leakage Suppression in 28-nm FD-SOI CMOS.
    Papotto, Giuseppe ; Nocera, Claudio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 69 (2021-09-01), Heft 9, S. 4132-4141
    Online academicJournal
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    A 56-Gb/s PAM4 Receiver Analog Front-End With Fixed Peaking Frequency and Bandwidth in 40-nm CMOS.
    Li, Zhenghao ; Tang, Minzhe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 3058-3062
    Online academicJournal
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    A Wide Gain Control Range V-Band CMOS Variable-Gain Amplifier With Built-In Linearizer.
    Yeh, Han-Chih ; Aloui, Sofiane ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 61 (2013-02-01), Heft 2, S. 902-913
    Online academicJournal
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    A 28.3 mW PA-Closed Loop for Linearity and Efficiency Improvement Integrated in a +27.1 dBm WCDMA CMOS Power Amplifier.
    Kousai, Shouhei ; Onizuka, Kohei ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 47 (2012-12-01), Heft 12, S. 2964-2973
    Online academicJournal
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    A High Dynamic-Range RF Programmable-Gain Front End for G.hn RF-Coax in 65-nm CMOS.
    Trulls, X. ; Mateo, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 60 (2012-10-01), Heft 10, S. 3243-3253
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    A Wideband Low-Noise Variable-Gain Amplifier With a 3.4 dB NF and up to 45 dB Gain Tuning Range in 130-nm CMOS.
    Baumgratz, Filipe Dias ; Saavedra, Carlos ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1104-1108
    Online academicJournal
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    Applications of Body Biasing in Multistage CMOS Low-Noise Amplifiers.
    Rashtian, Hooman ; Mirabbasi, Shahriar
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 61 (2014-06-01), Heft 6, S. 1638-1647
    Online serialPeriodical
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    A 60-GHz Low-Power Active Phase Shifter With Impedance-Invariant Vector Modulation in 65-nm CMOS.
    Park, Geon Ho ; Byeon, Chul Woo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-12-01), Heft 12, S. 5395-5407
    Online academicJournal
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