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    Temperature-dependent electron Hall mobility in LPE-grown InPBi/InP epilayers.
    Sharma, Akant Sagar ; Malathi, N. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 34 (2023-02-15), Heft 5, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Thermoelectric Characteristics of STE Generator Fabricated From LPE Bi- and Al-Substituted YIG Films.
    Imamura, Masaaki ; Asada, Hironori ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 58 (2022), Heft 1, S. 1-11
    Online academicJournal
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    LPE법으로 성장시킨 (TbBi)3(FeAlGa)5O12 Garnet 단결정 후막의 성장속도에 관한 연구 : A study on the growth kinetics of (TbBi)3(FeAlGa)5O12 single crystal thick films grown by Liquid Phase Epitaxy
    이완규 / Wan Gyu Lee ; 오규환 / Kyu Hwan Oh ; et al.
    In: 대한금속재료학회지 / Korean journal of metals and materials, Jg. 36 (1998-07-30), Heft 7, S. 1154-1159
    academicJournal
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    LPE Growth and Scintillation Properties of (Zn,Mg)O Single Crystalline Film
    Yoshikawa, A. ; Yanagida, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-10-01), Heft 5, S. 2286-2289
    Online academicJournal
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    LPE grown GaAs1−xNx (x ≤ 0.01) for photoconductive devices
    Das, S.K. ; Dhar, S. ; et al.
    In: 2012 5th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2012-12-01, S. 1-3
    Konferenz
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    academicJournal
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    Comparative study of the photoluminescence of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE and MOVPE techniques
    PRUTSKIJ, Tatiana ; PELOSI, Claudio ; et al.
    In: Low Dimensional Structures and Devices Conference, Jg. 36 (2005), Heft 3-6, S. 374-378
    Konferenz
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    LPE growth and characterisation of GaInAsSb and GaALAsSb quaternary layers on (100) GaSb substrates
    PISKORSKI, M ; PIOTROWSKA, A ; et al.
    In: Proceedings of the 8th European Vacuum Congress Berlin 2003, 23-26 June 2003, featuring the 8th European Vacuum Conference and 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Jg. 459 (2004), Heft 1-2, S. 2-6
    Konferenz
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    Effect of doping elements on electric properties of RE123 LPE films for PCS materials
    KAI, Masahiko ; INOUE, Atsushi ; et al.
    In: Advances in Superconductivity XVI. Part II, Jg. 412-14 (2004), S. 999-1004
    Konferenz
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    Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in scanning LPE method.
    Tsybulenko, V. V. ; Shutov, S. V. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 23 (2020-07-01), Heft 3, S. 294-301
    Online academicJournal
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    Microstructure of Nd-Ga-O3 new seed layer for LPE growth of YBCO film
    KIM, Seokbeom ; YOO, Sang-Im ; et al.
    In: The 2002 Applied Superconductivity Conference, Houston, TX, USA, August 4-9, 2002. Part III, Jg. 13 (2003), Heft 2, S. 2571-2574
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth peculiarities and magnetic properties of (LuBi)3Fe5O12 films by LPE method
    Syvorotka, I.I. ; Syvorotka, I.M. ; et al.
    In: 2012 IEEE International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering (OMEE), 2012-09-01, S. 266-267
    Konferenz
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    LPE Growth of Single Crystalline Film Scintillators Based on Ce3+ Doped Tb3-xGdxAl5-yGayO12 Mixed Garnets.
    Gorbenko, Vitalii ; Zorenko, Tetiana ; et al.
    In: Crystals (2073-4352), Jg. 7 (2017-09-01), Heft 9, S. 262-276
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    High‐Quality GaN Crystal Growth Using Flux‐Film‐Coated LPE with Na Flux.
    Song, Yelim ; Kawamura, Fumio ; et al.
    In: Crystal Research & Technology, Jg. 55 (2020-08-01), Heft 8, S. 1-6
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    LPE Growth of Composite Thermoluminescent Detectors Based on the Lu3−xGdxAl5O12:Ce Single Crystalline Films and YAG:Ce Crystals
    Witkiewicz-Lukaszek, Sandra ; Mrozik, Anna ; et al.
    In: Crystals, Jg. 10 (2020-03-01), Heft 3, S. 189-189
    Online academicJournal
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