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    Development of SOI High Voltage CMOS process for Plasma Display Panel driver ICs
    KOBAYASHI, K ; YANAGIGAWA, H ; et al.
    In: NEC research & development, Jg. 39 (1998), Heft 4, S. 508-514
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    0.5 μm CMOS gate array with CrossCheck
    NAKAJIMA, K ; OHUCHI, K ; et al.
    In: NEC research & development, Jg. 34 (1993), Heft 3, S. 320-328
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low power and high-speed BiCMOS gate arrays
    NAKASHIBA, H ; YAMADA, K ; et al.
    In: NEC research & development, 1987, Heft 84, S. 125-130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Metal capacitor technology for application to merged DRAM-logic devices : Special Issue on Advanced Memory Devices and Technologies
    DRYNAN, J. M ; KISHI, S
    In: NEC research & development, Jg. 40 (1999), Heft 3, S. 272-276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Process and structure designs for high performance Cu low-k interconnects : Special issue on advanced semiconductor processing technology
    HAYASHI, Yoshihiro ; KAWAHARA, Jun ; et al.
    In: NEC research & development, Jg. 42 (2001), Heft 1, S. 51-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A salicide-bridged Trench capacitor with a Double-Sacrificial-Si3N4-Sidewall (DSS) for high-performance logic-embedded DRAMs : Special Issue on Advanced Memory Devices and Technologies
    TOGO, M ; NOBUSAWA, H ; et al.
    In: NEC research & development, Jg. 40 (1999), Heft 3, S. 277-281
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
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