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    Optimization of Photodiode Design Through Analysis of Full-Well Capacity and Image Lag in 0.5 μ m CMOS Image Sensors With Vertical Transfer Gates.
    Park, Jae Hyeon ; Suk, Chan Hee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1697-1700
    Online academicJournal
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    Island-Style Monolithic Three-Dimensional CMOS-Nanoelectromechanical Logic Circuits.
    Kwon, Hyug Su ; Ko, Ji Wang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-08-01), Heft 8, S. 1257-1260
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Performance Improvement for Ge FinFET CMOS Inverter With Supercritical Fluid Treatment.
    Ruan, Dun-Bao ; Chang-Liao, Kuei-Shu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-06-01), Heft 6, S. 838-841
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Organic Pseudo-CMOS Circuits for Low-Voltage Large-Gain High-Speed Operation
    FUKUDA, Kenjiro ; SEKITANI, Tsuyoshi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1448-1450
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Accurate Modeling of Cryogenic Temperature Effects in 10-nm Bulk CMOS FinFETs Using the BSIM-CMG Model.
    Singh, Sujit K. ; Gupta, Sumreti ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-05-01), Heft 5, S. 689-692
    Online academicJournal
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    A Broadband Model Over 1–220 GHz for GSG Pad Structures in RF CMOS.
    Liu, Jun ; Yu, Zhiping ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-07-01), Heft 7, S. 696-698
    Online academicJournal
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    CMOS Inverter Based on Gate-All-Around Silicon-Nanowire MOSFETs Fabricated Using Top-Down Approach.
    Rustagi, S. C. ; Singh, N. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-11-01), Heft 11, S. 1021-1024
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Bilayer Graphene Tunneling FET for Sub-0.2 V Digital CMOS Logic Applications.
    Agarwal, Tarun K. ; Nourbakhsh, Amirhasan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-12-01), Heft 12, S. 1308-1310
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Methodology for Determination of Process Induced BTI Variability in MG/HK CMOS Technologies Using a Novel Matrix Test Structure.
    Kerber, Andreas
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-03-01), Heft 3, S. 294-296
    Online academicJournal
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect.
    Tang, Fang ; Chen, Denis G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 54-56
    Online academicJournal
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    Ink-Jet-Printed Organic Thin-Film Transistors for Low-Voltage-Driven CMOS Circuits With Solution-Processed \AlOX Gate Insulator.
    Kim, Sung Hoon ; Lee, Sun Hee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), Heft 2, S. 307-309
    Online academicJournal
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    A High-Density MTP Cell With Contact Coupling Gates by Pure CMOS Logic Process.
    Wu, Haw-Yun ; Tsai, Cheng-Wei ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), Heft 10, S. 1352-1354
    Online academicJournal
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    Crosstalk-Free Single Photon Avalanche Photodiodes Located in a Shared Well.
    Vila, Anna ; Vilella, Eva ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 99-101
    Online academicJournal
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    A CMOS-Process-Compatible ZnO-Based Charge-Trap Flash Memory.
    Seo, Yujeong ; Song, Min Yeong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), Heft 2, S. 238-240
    Online academicJournal
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    Titanium-Oxide-Based Slot Contact RRAM in Nanoscaled FinFET Logic Technologies.
    Chen, Shu-En ; Hsu, Meng-Yin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), Heft 4, S. 393-395
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A CMOS-Compatible DNA Microarray Using Optical Detection Together With a Highly Sensitive Nanometallic Particle Protocol.
    Xu, Chen ; Li, Jiong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-04-01), Heft 4, S. 240-242
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Influence of Uniaxial Tensile Strain on the Performance of Partially Depleted SOI CMOS Ring Oscillators.
    Zhao, Wei ; Seabaugh, Alan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 52-54
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Ferroelectric FET Based Coupled-Oscillatory Network for Edge Detection.
    Yu, Eunseon ; Agrawal, Amogh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-11-01), Heft 11, S. 1670-1673
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Realizing AND and OR Functions With Single Vertical-Slit Field-Effect Transistor
    KAMATH, Aashit ; ZHIXIAN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 152-154
    Online academicJournal
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    Nickel-Silicided Schottky Junction CMOS Transistors With Gate-All-Around Nanowire Channels.
    Tan, E. J. ; Pey, K. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-08-01), Heft 8, S. 902-905
    Online academicJournal
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