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    Novel Design of a Ternary-CMOS With Vertical-Channel Double-Gate Field-Effect Transistors.
    Kim, Jiho ; Kim, Sangwoo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4081-4087
    Online academicJournal
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    Volltext
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    High-Performance Plasmonic THz Detector Based on Asymmetric FET With Vertically Integrated Antenna in CMOS Technology.
    Ryu, Min Woo ; Lee, Jeong Seop ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-04-01), Heft 4, S. 1742-1748
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors.
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 573-580
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Applications of Body Biasing in Multistage CMOS Low-Noise Amplifiers.
    Rashtian, Hooman ; Mirabbasi, Shahriar
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 61 (2014-06-01), Heft 6, S. 1638-1647
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Static and Dynamic Oxide-Trapped- Charge-Induced Variability in Nanoscale CMOS Circuits.
    Zebrev, Gennady
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2483-2488
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Fully Depleted Ge CMOS Devices and Logic Circuits on Si.
    Wu, Heng ; Ye, Peide D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3028-3035
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    An 80-mV-to-1.8-V Conversion-Range Low-Energy Level Shifter for Extremely Low-Voltage VLSIs.
    Matsuzuka, Ryo ; Hirose, Tetsuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 2026-2035
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-Compatible Self-Aligned In0.53Ga0.47As MOSFETs With Gate Lengths Down to 30 nm.
    Majumdar, Amlan ; Sun, Yanning ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-10-01), Heft 10, S. 3399-3404
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Multitime Programmable Memory Cell With Improved MOS Capacitor in Standard CMOS Process.
    Li, Cong ; Li, Jian-Cheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 8, S. 2517-2523
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Gate Stack Resistance and Limits to CMOS Logic Performance.
    Wachnik, Richard A. ; Lee, Sungjae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 8, S. 2318-2325
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Innovative Materials, Devices, and CMOS Technologies for Low-Power Mobile Multimedia.
    Skotnicki, Thomas ; Fenouillet-Beranger, Claire ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008), Heft 1, S. 96-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(1 10) Surface.
    Teramoto, Akinobu ; Hamada, Tatsufumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-06-01), Heft 6, S. 1438-1445
    Online academicJournal
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    Effects of Layout Methods of RF CMOS on Noise Performance.
    Wu, Wen ; Lam, Sang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 12, S. 2753-2759
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Predictive Simulation and Benchmarking of Si and Ge pMOS FinFETs for Future CMOS Technology.
    Shifren, Lucian ; Aitken, Robert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2271-2277
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 0.5-V 5.2-fJ/Conversion-Step Full Asynchronous SAR ADC With Leakage Power Reduction Down to 650 pW by Boosted Self-Power Gating in 40-nm CMOS.
    Sekimoto, Ryota ; Shikata, Akira ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 48 (2013-11-01), Heft 11, S. 2628-2636
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Recent progress and future prospects of SOI CMOS.
    Tsuchiya, Toshiaki
    In: Electronics & Communications in Japan, Part 2:, Jg. 83 (2000-10-01), Heft 10, S. 24-34
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analog IC Design in Ultra-Thin Oxide CMOS Technologies With Significant Direct Tunneling-Induced Gate Current.
    Bohannon, Eric ; Washburn, Clyde ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 58 (2011-04-01), Heft 4, S. 645-653
    Online serialPeriodical
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    Low-Frequency Noise Characterization of 90 nm Multiple Gate Oxide CMOS Transistors.
    Lukyanchikova, N. ; Garbar, N. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 780 (2005-08-25), Heft 1, S. 331-334
    Konferenz
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    A Technique to Improve the Drive Current of High-Voltage I/O Transistors in Digital CMOS Technologies.
    Xu, Haifeng ; O, Kenneth K.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-10-01), Heft 10, S. 752-754
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Influence of Uniaxial Tensile Strain on the Performance of Partially Depleted SOI CMOS Ring Oscillators.
    Zhao, Wei ; Seabaugh, Alan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 52-54
    Online academicJournal
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xs 0 - 576
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xl 1200 - 1366
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