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    Pixel Level Characterization of Pinned Photodiode and Transfer Gate Physical Parameters in CMOS Image Sensors
    Pelamatti, Alice ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2014-07-01
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    Wie komme ich dran?
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    Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
    Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Cadareanu, Patsy ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 400-408
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    Analytical Modeling and TCAD Simulation of a Quanta Image Sensor Jot Device With a JFET Source-Follower for Deep Sub-Electron Read Noise
    Ma, Jiaju ; Fossum, Eric R.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), S. 69-78
    Online unknown
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    Performance and Power Consumption Trade-Off in UTBB FDSOI Inverters Operated at NTV for IoT Applications
    Martin-Martinez, Javier ; Nafria, Montserrat ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 55-62
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    A New Electron Bridge Channel 1T-DRAM Employing Underlap Region Charge Storage
    Chen, Yun-Ru ; Kranti, Abhinav ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 1, S. 59-63
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    A Pump-Gate Jot Device With High Conversion Gain for a Quanta Image Sensor
    Fossum, Eric R. ; Ma, Jiaju
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 3 (2015), Heft 2, S. 73-77
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    [Untitled]
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society
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    Compact Modeling of Surface Potential, Drain Current and Terminal Charges in Negative Capacitance Nanosheet FET including Quasi-Ballistic Transport
    Gaidhane, Amol D. ; Pahwa, Girish ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1168-1176
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -