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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    Anand, Bulusu ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), S. 1011-1013
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    Design of CMOS Transistors to Maximize Circuit FOM Using a Coupled Process and Mixed-Mode Simulation Methodology
    Chakravarthi, S. ; Venugopal, Ramesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), S. 863-865
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    Relating CMOS inverter lifetime to DC hot-carrier lifetime of NMOSFETs
    Hu, Chenming ; Lee, P.M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 11 (1990), S. 39-41
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    Temperature-Driven Gate Geometry Effects in Nanoscale Cryogenic MOSFETs
    Cao, Yongfeng ; Zhang, Xiuhao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), S. 661-664
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    Multifunctional Field-Effect Transistor for High-Density Integrated Circuits
    Meneghesso, Gaudenzio ; Fabio Alessio Marino
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), S. 264-266
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    Vertically Stacked and Independently Controlled Twin-Gate MOSFETs on a Single Si Nanowire
    Shen, Nansheng ; Kwong, Dim-Lee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), S. 1492-1494
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    Bilayer PseudoSpin Field-Effect Transistor (BiSFET): A Proposed New Logic Device
    Reddy, Dharmendar ; Tutuc, Emanuel ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-02-01), S. 158-160
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    Impact of Metal Gate Granularity on Threshold Voltage Variability: A Full-Scale Three-Dimensional Statistical Simulation Study
    Asenov, Asen ; Niza Mohd Idris ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2010-11-01
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    A Bendable-Channel FinFET for Logic Application
    Choi, Yang-Kyu ; Han, Jin-Woo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-06-01), S. 624-626
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    Monolithic NMOS digital integrated circuits in 6H-SiC
    Melloch, Michael R. ; Xie, W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 15 (1994-11-01), S. 455-457
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    The Characteristics of $\hbox{H}^{+}$ Ion-Sensitive Transistor Driving With MOS Hybrid Mode Operation
    Kang, Shin-Won ; Kwon, Dae-Hyuk ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-10-01), S. 1138-1141
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Variability of Inversion-Mode and Junctionless FinFETs due to Line Edge Roughness
    Chi On Chui ; Leung, Greg
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), S. 1489-1491
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