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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1256-1262
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors.
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 573-580
    Online academicJournal
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Quenching among Dummy Gate Isolated Logic Nodes in 65 nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies.
    Jianjun, Chen ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-15), Heft 5b, S. 2302-2309
    Online academicJournal
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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
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    TID Effects in Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors Irradiated to Ultrahigh Doses.
    Bonaldo, Stefano ; Gorchichko, Mariia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1444-1452
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology.
    Zhang, Chaoping ; Hasan, S. M. Rezaul
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1906-1915
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors.
    Gorchichko, Mariia ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 687-696
    Online academicJournal
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    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
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    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Durnez, Clementine ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 92-100
    Online academicJournal
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    Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 84-91
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process.
    Carbonetto, Sebastian ; Echarri, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1118-1124
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application.
    Liu, Fan ; Yang, Feng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2505-2510
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process.
    Hasanbegovic, Amir ; Aunet, Snorre
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1888-1897
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    X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices.
    Wang, P. F. ; Zhang, E. X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1519-1524
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    A CMOS Triple Inter-Locked Latch for SEU Insensitivity Design.
    Li, Tianwen ; Yang, Haigang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3265-3273
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    Identification of Radiation Induced Dark Current Sources in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 918-926
    Online academicJournal
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