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    CMOS Ternary Logic With a Biristor Threshold Switch for Low Static Power Consumption.
    Han, Joon-Kyu ; Yu, Ji-Man ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-07-01), Heft 7, S. 1005-1008
    Online academicJournal
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    An E-Mode p-Channel GaN MOSHFET for a CMOS Compatible PMIC.
    Kumar, Ashwani ; De Souza, Maria Merlyne
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-10-01), Heft 10, S. 1449-1452
    Online academicJournal
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    Volltext
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    An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology.
    Chu, Rongming ; Cao, Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-03-01), Heft 3, S. 269-271
    Online academicJournal
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    Voltage Ramp Stress for Hot-Carrier Screening of Scaled CMOS Devices.
    Kerber, A. ; McMahon, W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-06-01), Heft 6, S. 749-751
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Random Telegraph Noise of a 28-nm Cryogenic MOSFET in the Coulomb Blockade Regime.
    Yang, Hee ; Bong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), Heft 1, S. 5-8
    Online academicJournal
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    Volltext
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    On the Impact of Through-Silicon-Via-Induced Stress on 65-nm CMOS Devices.
    Weerasekera, Roshan ; Li, Hong Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), Heft 1, S. 18-20
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Bandgap Extraction at 10 K to Enable Leakage Control in Carbon Nanotube MOSFETs.
    Lin, Qing ; Pitner, Gregory ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-03-01), Heft 3, S. 490-493
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Subthreshold Swing Saturation of Nanoscale MOSFETs Due to Source-to-Drain Tunneling at Cryogenic Temperatures.
    Kao, Kuo-Hsing ; Wu, Tzung Rang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-09-01), Heft 9, S. 1296-1299
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    CMOS Inverter Based on Schottky Source–Drain MOS Technology With Low-Temperature Dopant Segregation.
    Larrieu, Guilhem ; Dubois, Emmanuel
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-06-01), Heft 6, S. 728-730
    Online academicJournal
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    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process.
    Song, Yi ; Zhou, Huajie ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-12-01), Heft 12, S. 1377-1379
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    p-MOSFET and n-MOSFET Prepared by ICP-Assisted Hot Wire Implantation Doping Technique.
    Chen, Y. H. ; Chang, S. J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), Heft 6, S. 698-700
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact of Using Double-Patterning Versus Single-Patterning on Threshold Voltage (VTH) Variation in Quasi-Planar Tri-Gate Bulk MOSFETs.
    Shin, Changhwan ; Park, In Jun
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-05-01), Heft 5, S. 578-580
    Online academicJournal
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    A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs.
    Chen, Jing ; Luo, Jiexin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), Heft 10, S. 1346-1348
    Online academicJournal
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    Experimental Proof of the Drain-Side Dielectric Breakdown of HKMG nMOSFETs Under Logic Circuit Operation.
    Kupke, Steve ; Knebel, Steve ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-05-01), Heft 5, S. 430-432
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Tightly Stacked 3D Diamond-Shaped Ge Nanowire Gate-All-Around FETs With Superior nFET and pFET Performance.
    Lin, Yi-Wen ; Chang, Hao-Hsiang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), Heft 12, S. 1727-1730
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Mobility Enhancement by Back-Gate Biasing in Ultrathin SOI MOSFETs With Thin BOX.
    Ohata, A. ; Bae, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-03-01), Heft 3, S. 348-350
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET.
    Liu, Qiang ; Zhou, Hongyang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-11-01), Heft 11, S. 1814-1817
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Restoration of Postbreakdown Gate Oxide by White-Light Illumination.
    Kawashima, T. ; Yew, K. S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-08-01), Heft 8, S. 748-750
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Temperature-Driven Gate Geometry Effects in Nanoscale Cryogenic MOSFETs.
    Wang, Zewei ; Tang, Zhidong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), Heft 5, S. 661-664
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    Impact of Source–Drain Series Resistance on Drain Current Mismatch in Advanced Fully Depleted SOI n-MOSFETs.
    Ioannidis, E. G. ; Theodorou, C. G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-05-01), Heft 5, S. 433-435
    Online academicJournal
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xs 0 - 576
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xl 1200 - 1366
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