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    academicJournal
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    LTPS Active Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation for X-Ray Imaging Applications.
    Tai, Ya-Hsiang ; Lin, Chi-Hao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4216-4220
    Online academicJournal
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    Abnormal ${C}$ – ${V}$ Hump Effect Induced by Hot Carriers in Gate Length-Dependent p-Type LTPS TFTs.
    Huang, Shin-Ping ; Shih, Yao-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4764-4767
    Online academicJournal
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    Electrical Properties of Metal-Induced Laterally Crystallized p-Type LTPS-TFT With High- $\kappa $ ZrTiO4 Gate Dielectric Featuring Low Equivalent-Oxide-Thickness.
    Park, Jae Hyo ; Han, Ji Su ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), Heft 6, S. 2391-2397
    Online academicJournal
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    Asymmetric Driving Current Modification of CMOS LTPS-TFTs With HfO2 Gate Dielectric.
    Ma, William Cheng-Yu
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 930-932
    Online academicJournal
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    LTPS AM-OLED Display Consisting of Two-TFTs/One-Capacitor Pixel Circuits for Producing High-Uniformity Images.
    Kohno, Tohru ; Kuranaga, Takahide ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3780-3786
    Online academicJournal
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    One-Time-Programmable Memory in LTPS TFT Technology With Metal-Induced Lateral Crystallization.
    Li, Lin ; Chui, Chi On ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 145-150
    Online academicJournal
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    Enhancing Reliability and 2 mm-Axial Mechanical Bending Endurance by Gate Insulator Improvements in Flexible Polycrystalline Silicon TFTs.
    Zheng, Yu-Zhe ; Chen, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2423-2429
    Online academicJournal
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    High Performance Dual Gate Blue Laser Annealed Poly-Si Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays.
    Jeong, Duk Young ; Billah, Mohammad Masum ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 3863-3869
    Online academicJournal
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    Leakage-Prevention Mechanism to Maintain Driving Capability of Compensation Pixel Circuit for Low Frame Rate AMOLED Displays.
    Lin, Chih-Lung ; Lai, Po-Cheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2313-2319
    Online academicJournal
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    Suppression of Edge Effect Induced by Positive Gate Bias Stress in Low-Temperature Polycrystalline Silicon TFTs With Channel Width Extension Over Source/Drain Regions.
    Wang, Yu-Xuan ; Tai, Mao-Chou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5552-5556
    Online academicJournal
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    Effect of ELA Energy Density on Self-Heating Stress in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors.
    Huang, Shin-Ping ; Chen, Hong-Chih ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3163-3166
    Online academicJournal
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    Si-Based FET-Type Synaptic Device With Short-Term and Long-Term Plasticity Using High- $\kappa$ Gate-Stack.
    Seo, Young-Tak ; Lee, Myoung-Sun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 917-923
    Online academicJournal
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    Integrating Poly-Silicon and InGaZnO Thin-Film Transistors for CMOS Inverters.
    Chen, Chang ; Dong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3668-3671
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Electrical Degradation and Recovery of Low-Temperature Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors With Various Metal Gate Patterns.
    Chang, Jiun-Jye ; Chang-Liao, Kuei-Shu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 12, S. 3543-3548
    Online academicJournal
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    Thin-BOX Poly-Si Thin-Film Transistors for CMOS-Compatible Analog Operations.
    Kim, Soo Youn ; Baytok, Selin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-06-01), Heft 6, S. 1687-1695
    Online academicJournal
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    Systematic Analysis of High-Current Effects in Flexible Polycrystalline-Silicon Transistors Fabricated on Polyimide.
    Chen, Bo-Wei ; Chen, Hsin-Lu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3167-3173
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    academicJournal
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    Implementation of Short-Term Plasticity and Long-Term Potentiation in a Synapse Using Si-Based Type of Charge-Trap Memory.
    Lee, Myoung-Sun ; Lee, Ju-Wan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-02-01), Heft 2, S. 569-573
    Online academicJournal
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