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    MoS2 U-shape MOSFET with 10 nm channel length and poly-Si source/drain serving as seed for full wafer CVD MoS2 availability
    Li, Kai-Shin ; Wu, Bo-Wei ; et al.
    In: 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016-06-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dual-gate MOSFETs on monolayer CVD MoS2 films
    Liu, H. ; Si, M. ; et al.
    In: 71st Device Research Conference, 2013-06-01, S. 163-164
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A novel CVD-SiBCN Low-K spacer technology for high-speed applications
    Ko, C.H. ; Kuan, T.M. ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Mist chemical vapor deposited-gate insulators for GaN-based MIS devices applications
    Yatabe, Zenji ; Nakamura, Yusui ; et al.
    In: 2022 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2022-11-28, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Damageless H/sub 2/)/SiH/sub 4/ Plasma-CVD for gate SiO/sub 2/
    Kato, T. ; Furumura, Y. ; et al.
    In: Symposium 1993 on VLSI Technology, 1993, S. 153-154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
    Motoyama, Tomohiro ; Yatabe, Zenji ; et al.
    In: 2021 IEEE International Meeting for Future Electron Devices, Kansai (IMFEDK), 2021-11-17, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-Performance Solution-Processed InGaZnO Thin-Film Transistor Fabricated by Ozone-Assisted Atmospheric Pressure Mist Deposition
    Furuta, M. ; Kawaharamura, T. ; et al.
    In: Journal of Display Technology, Jg. 10 (2014-11-01), Heft 11, S. 934-938
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Multibeam electron gun with gated carbon nanotube cathode
    Bushuev, Nikolai ; Grigoriev, Yuri ; et al.
    In: IVEC 2012, Vacuum Electronics Conference (IVEC), 2012-04-01, S. 559-560
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors With In–Ga–Zn–O Channel Grown by Nonvacuum-Processed Mist Chemical Vapor Deposition
    Dang, G.T. ; Kawaharamura, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-05-01), Heft 5, S. 463-463
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fluorine-free tungsten films as low resistance liners for tungsten fill applications
    Bakke, Jonathan ; Lei, Yu ; et al.
    In: 2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC), 2016-05-01, S. 108-110
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electronic structures in amorphous In-Ga-Zn-O metal-oxide-semiconductor diodes with various gate insulators
    Hino, Aya ; Morita, Shinya ; et al.
    In: 2012 19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2012-07-01, S. 21-24
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Subtractive W contact and local interconnect co-integration (CLIC)
    Liu, Fei ; Fletcher, Benjamin ; et al.
    In: 2013 IEEE International Interconnect Technology Conference - IITC, 2013-06-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electrical performances of low resistive W buried gate using B2H6-reduced W nucleation layer technology for 30nm-based DRAM devices
    Kim, Choon-Hwan ; Rho, Il-Cheol ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    New applications and challenges of dielectric films at 14nm FinFET technology and beyond
    Deng, Hao ; Xiao, Lihong ; et al.
    In: 2016 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016-03-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A conformal low resistivity fluorine free tungsten for FinFET metal gate and 3D memory applications
    Fu, Xinyu ; Jian, Guoqiang ; et al.
    In: 2016 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016-03-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Formation and characterization of tin layers for metal gate electrodes of CMOS capacitors
    Garcia, Alisson S. ; Diniz, Jose A. ; et al.
    In: 2014 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS), 2014-04-01, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of precursors choice on characteristics of PEALD SiN for spacer applications
    Triyoso, D.H. ; Hempel, K. ; et al.
    In: Proceedings of 2013 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), 2013-05-01, S. 69-72
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Wafer-scale characterization of carrier dynamics in graphene
    Buron, Jonas C. D. ; Hjort-Petersen, Dirch ; et al.
    In: 2015 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz), 2015-08-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    TMD FinFET with 4 nm thin body and back gate control for future low power technology
    Chen, Min-Cheng ; Li, Kai-Shin ; et al.
    In: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2015-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Dual-gated field-effect transistors made from wafer-scale synthetic few-layer molybdenum disulfide
    Tarasov, A. ; Campbell, P. M. ; et al.
    In: 72nd Device Research Conference, 2014-06-01, S. 85-86
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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