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    Ambient Temperature-Induced Device Self-Heating Effects on Multi-Fin Si CMOS Logic Circuit Performance in N-14 to N-7 Scaled Technologies.
    Venkateswarlu, Sankatali ; Nayak, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1530-1536
    Online academicJournal
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    A Compact Single-Transistor Current Source for Analog Design in Nanometer Digital CMOS.
    Bai, Chunfeng ; Qiao, Donghai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 3508-3512
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Stochastic Propagation Delay Through a CMOS Inverter as a Consequence of Stochastic Power Supply Voltage—Part I: Model Formulation.
    Dietz, David
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 61 (2019-02-01), Heft 1, S. 226-232
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A High Dynamic Range 128 × 120 3-D Stacked CMOS SPAD Image Sensor SoC for Fluorescence Microendoscopy.
    Erdogan, Ahmet T. ; Al Abbas, Tarek ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-06-01), Heft 6, S. 1649-1660
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Novel Design of a Ternary-CMOS With Vertical-Channel Double-Gate Field-Effect Transistors.
    Kim, Jiho ; Kim, Sangwoo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4081-4087
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Demonstration of Single-Flux-Quantum 64-B Lookup Table With Cryo-CMOS Decoders for Reconfiguration.
    Hironaka, Yuki ; Hosoya, Takuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 32 (2022-11-01), Heft 8, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Wideband CMOS LNA Using Transformer-Based Input Matching and Pole-Tuning Technique.
    Chen, Hongchen ; Zhu, Haoshen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 69 (2021-07-01), Heft 7, S. 3335-3347
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS Global Shutter Charge Storage Pixels With Improved Performance.
    Velichko, Sergey ; Hynecek, Jaroslav Jerry ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 106-112
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Highly Reliable, Dynamic Logic-Based Hybrid MTJ/CMOS Magnetic Full Adder for High-Performance and Low-Power Application.
    Shukla, Pratiksha ; Kumar, Pramod ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 58 (2022-05-01), Heft 5, S. 1-8
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Static CMOS Physically Unclonable Function Based on 4T Voltage Divider With 0.6%–1.5% Bit Instability at 0.4–1.8 V Operation in 180 nm.
    Vatalaro, Massimo ; De Rose, Raffaele ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-08-01), Heft 8, S. 2509-2520
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A CMOS Photodetector for Direct Color Imaging.
    Audet, Yves ; Bendali, Abdelhalim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 1107-1114
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Gate Engineering to Improve Effective Resistance of 28-nm High- $k$ Metal Gate CMOS Devices.
    Jeong, Jin ; Hyuk ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 259-264
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Temporal Readout Noise Analysis and Reduction Techniques for Low-Light CMOS Image Sensors.
    Boukhayma, Assim ; Peizerat, Arnaud ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 72-78
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    Benchmarking Silicon FinFET With the Carbon Nanotube and 2D-FETs for Advanced Node CMOS Logic Application.
    Das, Uttam Kumar ; Hussain, Muhammad M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3643-3648
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 54–68 GHz Power Amplifier With Improved Linearity and Efficiency in 40 nm CMOS.
    Mosalam, Hamed ; Xiao, Wenbo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 40-44
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    Study of CCD Transport on CMOS Imaging Technology: Comparison Between SCCD and BCCD, and Ramp Effect on the CTI.
    Marcelot, Olivier ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 844-849
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    Analysis and Modeling of an 11.8 GHz Fin Resonant Body Transistor in a 14 nm FinFET CMOS Process.
    Rawat, Udit ; Bahr, Bichoy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Ultrasonics Ferroelectrics & Frequency Control, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 1399-1412
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    A 6-GHz Bandwidth Input Buffer Based on AC-Coupled Flipped Source Follower for 12-bit 8-GS/s ADC in 28-nm CMOS.
    Huang, Zhengbo ; Zhang, Jie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-10-01), Heft 10, S. 4163-4167
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    A 65-nm CMOS 6-Bit 20 GS/s Time-Interleaved DAC With Full-Binary Sub-DACs.
    Kim, Si-Nai ; Kim, Woo-Cheol ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 1154-1158
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