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In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 12, S. 928-930Online academicJournalZugriff:
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Low pressure organometallic vapor phase epitaxial growth of device quality GaAs directly on (100) SiIn: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 8, S. 467-469Online academicJournalZugriff: