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    High quality Ge epitaxial layers in narrow channels on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-15), Heft 11, S. 111903-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Low-temperature diffusion of high-concentration phosphorus in silicon, a preferential movement toward the surface.
    Duffy, R. ; Venezia, V. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-02-21), S. 081917-81917
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Athermal germanium migration in strained silicon layers during junction formation with solid-phase epitaxial regrowth.
    Vandervorst, W. ; Janssens, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-02-21), Heft 8, S. 81915-81917
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -