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    A D-band Wideband Double-Balanced Source-Driven Up-Conversion Mixer in 40-nm CMOS
    Abe, Toshiaki ; Hara, Shinsuke ; et al.
    In: 2023 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2023-08-14, S. 73-75
    Konferenz
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    Subthreshold Modeling of a Tunable CMOS Schmitt Trigger
    Nowbahari, A. ; Marchetti, L. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 10977-10984
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design of a High-ESD-Robustness Multi-point LVDS Interface Using Current Mirror in $0.18-\mu \mathrm{m}$ 3.3-V CMOS Process
    Qian, Lingli ; Huang, Xiaozong ; et al.
    In: 2022 International EOS/ESD Symposium on Design and System (IEDS), 2022-11-09, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An Ultra-low Power Thermo-Electric Harvester in 45nm CMOS Process
    Salvador, Anela L. ; Sangalang, Ralph Gerard B.
    In: 2021 IEEE Region 10 Symposium (TENSYMP), 2021-08-23, S. 1-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.5V 200MHz offset trimmable latch comparator in standard 0.18um CMOS process
    Mohammadi, Meysam ; Sadeghipour, Khosrov D.
    In: 2013 21st Iranian Conference on Electrical Engineering (ICEE), 2013-05-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A new digital-pixel architecture for CMOS image sensor with pixel-level ADC and pulse width modulation using a 0.18 /spl mu/m CMOS technology
    Xu, Chen ; Shen, Chao ; et al.
    In: 2003 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (IEEE Cat. No.03TH8668), 2003, S. 265-268
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel CMOS/BiCMOS UWB pulse generator and modulator
    Zheng, Yuanjin ; Dong, Han ; et al.
    In: 2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IEEE Cat. No.04CH37535), Jg. 2 (2004), S. 1269-1272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of complementary EDMOS in a standard 0.35 /spl mu/m CMOS technology for 40 V applications
    Ma, V.W.Y. ; Xu, E.H.P. ; et al.
    In: 2003 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (IEEE Cat. No.03TH8668), 2003, S. 301-304
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD protection scheme using CMOS compatible vertical bipolar transistor for 130 nm CMOS generation
    Okushima, M. ; Noguchi, K. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138), 2000, S. 127-130
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A low-voltage fully-integrated 4.5-6-GHz CMOS variable gain low noise amplifier
    Tsai, Ming-Da ; Liu, Ren-Chieh ; et al.
    In: 33rd European Microwave Conference Proceedings (IEEE Cat. No.03EX723C), Jg. 1 (2003), S. 13-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 1.8 GHz fully integrated low voltage LC VCO in silicon on sapphire CMOS
    Bhatia, R. ; Jalan, U. ; et al.
    In: 33rd European Microwave Conference Proceedings (IEEE Cat. No.03EX723C), Jg. 2 (2003), S. 579-582
    Konferenz
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    High performance CMOS converter design in TSMC 0.18-/spl mu/m process
    Islam, N. ; Islam, S.K. ; et al.
    In: Proceedings. IEEE SoutheastCon,, 2005, S. 148-152
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    lGb/s Ground Referenced Low Voltage Differential Signal I/O Interface in 0.35 μm CMOS
    Tiao, Yu-Sheng ; Sheu, Meng-Lieh ; et al.
    In: 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2005, S. 503-506
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A differentially-tuned CMOS LC VCO for low-voltage full-rate 10 Gb/s CDR circuit
    Mukherjee, D. ; Bhattacharjee, J. ; et al.
    In: 2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.02CH37278), Jg. 2 (2002), S. 707-710
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ultra low voltage complementary metal oxide semiconductor (ULV-CMOS) circuits: bulk CMOS operation below threshold (V/sub TO/)
    Splain, C.G. ; O, K.K.
    In: Proceedings of SOUTHEASTCON '96, Southeastcon '96. Bringing Together Education, Science and, 1996, S. 670-673
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS image sensors-recent advances and device scaling considerations
    Hon-Sum Philip Wong
    In: International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest, 1997, S. 201-204
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Integration of a novel high-voltage Giga-Hertz DMOS transistor into a standard CMOS process
    Soderbarg, A. ; Edholm, B. ; et al.
    In: Proceedings of International Electron Devices Meeting, 1995, S. 975-978
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 1.8- V High-Precision Compensated CMOS Bandgap Reference
    Weng, Ro-Min ; Hsu, Xie-Ren ; et al.
    In: 2005 IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2005, S. 271-273
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fully integrated high power RF front-end circuits in 2 GHz using 0.18um standard CMOS process
    Ahn, Minsik ; An, Kyu-Hwan ; et al.
    In: 2008 Asia-Pacific Microwave Conference, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Universal high voltage multiplexer for CMOS OTP memory applications
    Kwok Ping Ng ; Lee, M. C. ; et al.
    In: 2008 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2008-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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