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    High purity liquid phase epitaxial growth of InP
    AMANO, T ; KONDO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 11A, S. 4878-4884
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective lateral growth mechanism of GaAs by liquid-phase electroepitaxy
    SAKAI, S ; OHASHI, Y
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 1A, S. 23-27
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of REBa2Cu3Ox (RE=Y, Nd) films on yttria-stabilized zirconia by liquid phase epitaxial method with Ba-Cu-O-F flux
    NIIORI, Y ; YAMADA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 11A
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impurity gettering effect in Pr2O3-Added InGaAs liquid phase epitaxy
    CHANG, L.-B ; WANG, T.-W ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 12A, S. 7264-7266
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Liquid-phase epitaxial growth of In0.35Ga0.65P on GaP substrates from Sn-rich solutions
    CHEN, L.-C ; WU, M.-C
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 9A, S. 5623-5627
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Preparation of epitaxial Pb(Zr, Ti)O3 thin films on Nb-doped SrTiO3 (100) substrates by dipping-pyrolysis process
    HWANG, K.-S ; MANABE, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 8, S. 5221-5225
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High quality GaAs epitaxial layers grown from Ga-As-Bi solutions by liquid phase epitaxy
    SARAVANAN, S ; JEGANATHAN, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 6A, S. 3385-3388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of praseodymium-doped InP epilayers grown by liquid-phase epitaxy
    JIANG, G.-C
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 4A, S. 2020-2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    InP layer grown on (001) silicon substrate by epitaxial lateral overgrowth
    NARITSUKA, S ; NISHINAGA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 11A, S. L1432- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Annealing effects on the Hall properties of Hg1-xCdxTe heterolayers grown by liquid phase expitaxy
    TIAN-JUH, YANG ; TAI-BOR, WU
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 8A, S. 3998-4003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxial growth of GaAs on (100) GaAs and InP by selective liquid phase epitaxy
    DONG-KEUN, KIM ; BYUNG-TEAK, LEE
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 10, S. 5870-5874
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultrahigh purity liquid phase epitaxial growth of GaAs
    AMANO, T ; KONDO, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 9A, S. 3692-3699
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of In0.83Ga0.17As0.39P0.61 layers by liquid-phase epitaxy using erbium gettering
    MENG-CHYI, WU ; CHENG-MING, CHIU ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 6A, S. 2587-2591
    academicJournal
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    Near room-temperature growth of SiO2 films for p-HgCdTe passivation by liquid phase deposition
    HOUNG, M.-P ; WANG, Y.-H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 6A, S. L696- (3S.)
    academicJournal
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    GaAs:Se and GaAs:Te Photoconductive Detectors in 300 µm Region for Astronomical Observations
    Ueno, Maki ; Wakaki, Moriaki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-11-14), S. 8261-8264
    Online unknown
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