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    A Thrifty Liquid-Phase Exfoliation (LPE) of MoSe<subscript>2</subscript> and WSe<subscript>2</subscript> Nanosheets as Channel Materials for FET Application
    Sharma, Rohit ; Dawar, Anit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-04-01), Heft 4, S. 2819-2830
    Online academicJournal
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    Processing of LPE-Grown HgCdTe for MWIR Devices Designed for High Operating Temperatures
    Schirmacher, W. ; Wollrab, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 43 (2014-08-01), Heft 8, S. 2778-2782
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Substrate quality impact on the carrier concentration of undoped annealed HgCdTe LPE layers
    WEISS, Eliezer ; KLIN, Olga ; et al.
    In: Special Issue on the 2000 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 30 (2001), Heft 6, S. 756-761
    Online Konferenz
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    LPE HgCdTe on sapphire status and advancements
    BOSTRUP, G ; HESS, K. L ; et al.
    In: Special Issue on the 2000 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 30 (2001), Heft 6, S. 560-565
    Online Konferenz
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    Full Text Finder (Volltext)
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Control of the critical supercooling in LPE
    GORBATCHEV, A. Yu ; MISHURNYI, V. A ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 29 (2000), Heft 12, S. 1402-1405
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Some perspectives and peculiarities of the LPE growth of multicomponent Sb-based solid solutions from pentanary liquid phases
    MISHURNYI, V. A ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 28 (1999), Heft 8, S. 959-962
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Surface treatment effects on the electrical properties of the interfaces between ZnS and LPE-grown Hg<subscript>0.7</subscript>Cd<subscript>0.3</subscript>Te
    Lee, Seong Hoon ; Bae, Soo Ho ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-06-01), Heft 6, S. 684-688
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Hall effect characterization of LPE HgCdTe P/n heterojunctions
    Tobin, S. P. ; Pultz, G. N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), Heft 8, S. 907-914
    Online academicJournal
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    LPE growth of crack-free PbSe layers on Si(100) using MBE-grown PbSe/BaF2/CaF2 buffer layers
    STRECKER, B. N ; MCCANN, P. J ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 26 (1997), Heft 5, S. 444-448
    Online academicJournal
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    X-ray diffraction characterization of LPE HgCdTe heterojunction photodiode material
    Tobin, S. P. ; Krueger, E. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), Heft 8, S. 959-966
    Online academicJournal
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    A new LPE growth method of semiconductor heterostructures with thickness profile variation of epitaxial layers
    MISHURNYI, V. A ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 27 (1998), Heft 8, S. 1003-1004
    Online academicJournal
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    Characterization of GaAs layers grown on polycrystalline GaAs by LPE and current controlled LPE
    Abul-Fadl, A. ; Stefanakos, E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 9 (1980-05-01), Heft 3, S. 621-638
    Online academicJournal
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    Measured compositions and laser emission wavelengths of Ga<subscript>X</subscript>In<subscript>1−X</subscript>As<subscript>y</subscript>P<subscript>1−y</subscript> lpe layers lattice-matched TO InP Substrates
    Hsieh, J. J.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978), Heft 1, S. 31-37
    Online academicJournal
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    Growth and evaluation of lpe graded composition Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for high efficiency graded bandgap solar cells
    Sahai, R. ; Harris, J. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 6 (1977-11-01), Heft 6, S. 645-658
    Online academicJournal
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    The growth of buffered GaAs mesfet structures by LPE
    Houston, P. A.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 9 (1980), Heft 1, S. 79-93
    Online academicJournal
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    Variation of the thickness and composition of lpe InGaAsP, InGaAs, and InP layers grown from a finite melt by the step-cooling technique
    Cook, L. W. ; Tashima, M. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981), Heft 1, S. 119-140
    Online academicJournal
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    Lpe highly perfect ingaasp/lnp structure characterization by x-ray double crystal diffractometry
    Bocchi, C. ; Ferrari, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 16 (1987-07-01), Heft 4, S. 245-250
    Online academicJournal
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    Selective LPE-growth of ln<subscript>0.53</subscript>Ga<subscript>0.47</subscript>As on semi-insulating InP
    Schilling, M. ; Schemmel, G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-09-01), Heft 5, S. 259-262
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Thrifty Liquid-Phase Exfoliation (LPE) of MoSe<subscript>2</subscript> and WSe<subscript>2</subscript> Nanosheets as Channel Materials for FET Application.
    Sharma, Rohit ; Dawar, Anit ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-04-01), Heft 4, S. 2819-2830
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    Lattice mismatch and the nature of dissolution in the LPE of Pb-Salt compounds
    Rotter, S.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-05-01), Heft 3, S. 141-143
    Online academicJournal
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