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    Enhancing the optical properties of InAs quantum dots by an InAlAsSb overgrown layer
    Meng Jie Shiau ; Pei Chin Chiu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-10-08), S. 153106-153106
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Enhancing luminescence efficiency of InAs quantum dots at 1.5μm using a carrier blocking layer
    Wen Yen Chen ; Tung Po Hsieh ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-31), S. 053110-53110
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Highly efficient and stable inverted bottom-emission organic light emitting devices.
    Chu, Ta-Ya ; Chen, Jenn-Fang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-31), Heft 5, S. 053503-53503
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Enhancing luminescence efficiency of InAs quantum dots at 1.5 μm using a carrier blocking layer.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-31), Heft 5, S. 53110-53112
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Highly efficient and stable inverted bottom-emission organic light emitting devices.
    Chu, Ta-Ya ; Chen, Jenn-Fang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-31), Heft 5, S. 53503-53505
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -