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    CMOS-compatible spintronic devices: a review.
    Makarov, Alexander ; Windbacher, Thomas ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-11-01), Heft 11, S. 1-1
    Online academicJournal
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    A radiation hardened hybrid spintronic/CMOS nonvolatile unit using magnetic tunnel junctions.
    kang, Wang ; Zhao, Weisheng ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 47 (2014-10-08), Heft 40, S. 1-1
    academicJournal
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    Power efficient ReLU design for neuromorphic computing using spin Hall effect.
    Vadde, Venkatesh ; Muralidharan, Bhaskaran ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 56 (2023-10-12), Heft 41, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Implementation of an efficient magnetic tunnel junction-based stochastic neural network with application to iris data classification.
    Nisar, Arshid ; Khanday, Farooq A ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-12-11), Heft 50, S. 1-15
    academicJournal
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    Evolving magneto-electric device technologies.
    Sharma, N ; Bird, J P ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-22
    Online academicJournal
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    A novel architecture of non-volatile magnetic arithmetic logic unit using magnetic tunnel junctions.
    Guo, Wei ; Prenat, Guillaume ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 47 (2014-04-25), Heft 16, S. 165001-165008
    academicJournal
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    Low-power non-volatile spintronic memory: STT-RAM and beyond.
    Wang, K. L. ; Alzate, J. G. ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 46 (2013-02-20), Heft 7, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Compact-device model development for the energy-delay analysis of magneto-electric magnetic tunnel junction structures.
    Sharma, N ; J P Bird ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-06-01), Heft 6, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Spintronic logic design methodology based on spin Hall effect–driven magnetic tunnel junctions.
    Zhang, Youguang ; Kang, Wang ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 49 (2016-02-17), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
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    Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices.
    Md Ali Azam ; Bhattacharya, Dhritiman ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-04-03), Heft 14, S. 1-1
    academicJournal
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    Voltage-controlled magnetic tunnel junctions with synthetic ferromagnet free layer sandwiched by asymmetric double MgO barriers.
    Grezes, Cecile ; Li, Xiang ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2020-01-02), Heft 1, S. 1-1
    academicJournal
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    Three-terminal magnetic tunnel junction synapse circuits showing spike-timing-dependent plasticity.
    Akinola, Otitoaleke ; Hu, Xuan ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 52 (2019-12-04), Heft 49, S. 1-1
    academicJournal
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    Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices.
    Cui, Yan ; Yang, Ling ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 26 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-1
    academicJournal
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