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    Evaluation of a PECVD advanced barrier (k=3.7) for 32nm CMOS technology and below : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Chapelon, L. L. ; Petitprez, E. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2624-2628
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of CMOS sub-65nm metallic contact by laser scattering: Thermal stability of Ni(Si1-xGex) : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Arrazat, B. ; Danel, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2558-2562
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    SiGe: An attractive material for post-CMOS processing of MEMS : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Sedky, S.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2491-2500
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Compatibility of HfxTayN metal gate electrode with HfOxNy gate dielectric for advanced CMOS technology : Materials for advanced metallization; MAM 2006
    Chang-Liao, K. S. ; Chang, H. C. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 11/12, S. 2516-2521
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A maskless wet etching silicon dioxide post-CMOS process and its application : Materials for advanced metallization; MAM 2006
    Dai, C. L.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 11/12, S. 2543-2550
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology : Materials for advanced metallization; MAM 2006
    Tapajna, M. ; Husekova, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 11/12, S. 2412-2416
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integrating ENSEMBLE PMD low-k at the PMD level of CMOS logic circuits : Materials for advanced metallization; MAM 2006
    Demuynck, S. ; de Marneffe, J. F. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 11/12, S. 2303-2308
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology : Materials for advanced metallization
    Wieland, R. ; Bonfert, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 529-533
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni fully silicided gates for 45nm CMOS applications : Materials for advanced metallization
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 441-448
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High quality strained Si/SiGe substrates for CMOS and optical devices : Materials for advanced metallization
    Weber, J. ; Nebrich, L. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 215-220
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of NiAlN as gate-material for submicron CMOS technology : Materials for advanced metallization
    Efavi, J. K. ; Lemme, M. C. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 354-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of Ni fully silicided gates for sub-45 nm CMOS technologies : Materials for advanced metallization
    Pawlak, M. A. ; Kittl, J. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 349-353
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization and integration of a CVD porous SiOCH (k<2.5) with enhanced mechanical properties for 65 nm CMOS interconnects and below : Materials for advanced metallization
    Chapelon, L. L. ; Arnal, V. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of iridium as a gate electrode for deep sub-micron CMOS technology : Materials for advanced metallization
    Pawlak, M. A. ; Schram, T. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS ENGINEERING, Jg. 70 (2003), Heft PT 2-4, S. 373-376
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies : Materials for advanced metallization
    Lavoie, C. ; d Heurle, F. M. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS ENGINEERING, Jg. 70 (2003), Heft PT 2-4, S. 144-157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ni- and Co-based silicides for advanced CMOS applications : Materials for advanced metallization
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS ENGINEERING, Jg. 70 (2003), Heft PT 2-4, S. 158-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    NiSi salicide technology for scaled CMOS : Materials for advanced metallization; MAM 2001
    Iwai, H. ; Ohguro, T. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS ENGINEERING, Jg. 60 (2002), Heft NO 1-2, S. 157-170
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Advanced copper interconnections for silicon CMOS technologies : Materials for advanced metallization: MAM 1995
    Torres, J.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 91, Heft COM, S. 112-123
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Integration of a TiN barrier layer formed by rapid thermal annealing in a 1 m̆ CMOS process : Materials for advanced metallization: MAM 1995
    Stegemann, K. H. ; Heinig, V. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 91, Heft COM, S. 308-313
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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