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    Intrinsic or nucleation-driven switching: An insight from nanoscopic analysis of negative capacitance Hf1−xZrxO2-based structures.
    Stolichnov, I. ; Cavalieri, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-10-26), Heft 17, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Electro-absorption modulation in horizontal metal-insulator-silicon-insulator-metal nanoplasmonic slot waveguides.
    Zhu, Shiyang ; Lo, G. Q. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-10-10), Heft 15, S. 151114-151114
    Online academicJournal
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    Solid phase epitaxy during Ge condensation from amorphous SiGe layer on silicon-on-insulator substrate.
    Balakumar, S. ; Tung, C. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-17), Heft 3, S. 032101-32101
    Online academicJournal
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    N-type organic field-effect transistor based on interface-doped pentacene.
    Marcus, Ahles ; Schmechel, Roland ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-08), Heft 19, S. 4499-4501
    Online academicJournal
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    Monolithic mass sensor fabricated using a conventional technology with attogram resolution in air conditions.
    Verd, J. ; Uranga, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-07-02), Heft 1, S. 013501-13501
    Online academicJournal
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    Si avalanche photodetectors fabricated in standard complementary metal-oxide-semiconductor process.
    Kang, Hyo-Soon ; Lee, Myung-Jae ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-04-09), Heft 15, S. 151118-151118
    Online academicJournal
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    Free-running InGaAs/InP avalanche photodiode with active quenching for single photon counting at telecom wavelengths.
    Thew, R. T. ; Stucki, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-11-12), Heft 20, S. 201114-201114
    Online academicJournal
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    Phase formation and work function tuning in fully silicided Co-Ni metal gates with variable Co:Ni ratios.
    Liu, J. ; Kwong, D. L.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-01-30), Heft 5, S. 052109-52109
    Online academicJournal
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    Physical and electrical analysis of RuxYy alloys for gate electrode applications.
    Chen, Bei ; Suh, Youseok ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-31), Heft 5, S. 053502-53502
    Online academicJournal
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    Evaluation of nickel and molybdenum silicides for dual gate complementary metal-oxide semiconductor application.
    Biswas, Nivedita ; Gurganus, Jason ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-10), Heft 2, S. 022105-22105
    Online academicJournal
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    Efficient ultraviolet electroluminescence from a Gd-implanted silicon metal-oxide-semiconductor device.
    Sun, J. M. ; Skorupa, W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-18), Heft 16, S. 3387-3389
    Online academicJournal
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    Charge trapping and interface characteristics of thermally evaporated HfO2.
    Chowdhury, N. A. ; Garg, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-11), Heft 15, S. 3289-3291
    Online academicJournal
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    Patterning conductive copper by nanotransfer printing.
    Felmet, Kimberly ; Loo, Yueh-Lin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-11), Heft 15, S. 3316-3318
    Online academicJournal
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    Two-dimensional delineation of ultrashallow junctions obtained by ion implantation and excimer laser annealing.
    Privitera, Vittorio ; Spinella, Corrado ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-07-24), Heft 4, S. 552-554
    Online academicJournal
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    Inverter made of complementary p and n channel transistors using a single directly deposited microcrystalline silicon film.
    Chen, Yu ; Wagner, Sigurd
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-08-23), Heft 8, S. 1125-1127
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Oxide damage by ion implantation in silicon.
    Losavio, A. ; Crivelli, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-04-26), Heft 17, S. 2453-2455
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    Fabrication of midgap metal gates compatible with ultrathin dielectrics.
    Buchanan, D. A. ; McFeely, F. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-09-21), Heft 12, S. 1676-1678
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    Stacked high-ε gate dielectric for gigascale integration of metal-oxide-semiconductor technologies.
    Roy, P. K. ; Kizilyalli, I. C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-06-01), Heft 22, S. 2835-2837
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    Integration of complementary circuits and two-dimensional electron gas in a Si/SiGe heterostructure.
    Lu, T. M. ; Lee, C. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-06-21), Heft 25, S. 253103-253103
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    Extended performance GeSn/Si(100) p-i-n photodetectors for full spectral range telecommunication applications.
    Mathews, Jay ; Roucka, Radek ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-09-28), Heft 13, S. 133506-133506
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