Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
11 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

11 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A 20-V CMOS-Based Monolithic Bidirectional Power Switch.
    Fu, Y. ; Cheng, X. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-02-01), Heft 2, S. 174-176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Tensile-Strained Germanium CMOS Integration on Silicon.
    Zang, H. ; Loh, W. Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-12-01), Heft 12, S. 1117-1119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A Functional 41-Stage Ring Oscillator Using Scaled FinFET Devices With 25-nm Gate Lengths and 10-nm Fin Widths Applicable for the 45-nm CMOS Node.
    Collaert, N. ; Dixit, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-08-01), Heft 8, S. 568-570
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Demonstration of Lg ~ 55 nm pMOSFETs With Si/Si0.25Ge0.75/Si Channels, High Ion/Ioff (> 5 × 104), and Controlled Short Channel Effects (SCEs)
    Lee, Se-Hoon ; Majhi, Prashant ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-09-01), Heft 9, S. 1017-1020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Schottky Barrier Height Modulation of Nickel-Dysprosium-Alloy Germanosilicide Contacts for Strained P-FinFETs.
    Sinha, Mantavya ; Lee, Rinus Tek Po ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-12-01), Heft 12, S. 1278-1280
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Demonstration of L<subscript>g</subscript> ~ 55 nm pMOSFETs With Si/Si<subscript>0.25</subscript> Ge<subscript>0.75</subscript> / Si Channels, High I<subscript>on</subscript>/I<subscript>off</subscript> (> 5 × 10<superscript>4</superscript>), and Controlled Short Channel Effects (SCEs).
    Lee, Se-Hoon ; Majhi, Prashant ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-09-01), Heft 9, S. 1017-1020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    N-channel FinFETs With 25-nm Gate Length and Schottky-Barrier Source and Drain Featuring Ytterbium Silicide.
    Lee, Rinus T. P. ; Lim, Andy Eu-Jin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-02-01), Heft 2, S. 164-167
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High Ge Content of SiGe Channel pMOSFETs on Si (110) Surfaces.
    Lee, M. H. ; Chang, S. T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-02-01), Heft 2, S. 141-143
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Ta/Mo Interdiffusion Dual Metal Gate Technology for Drivability Enhancement of FinFETs.
    Matsukawa, Takashi ; Endo, Kazuhiko ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-06-01), Heft 6, S. 618-620
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Gate Fringe-Induced Barrier Lowering in Underlap FinFET Structures and Its Optimization.
    Sachid, Angada B. ; Manoj, C. R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 128-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Integration of Germanium-on-Insulator and Silicon MOSFETs on a Silicon Substrate.
    Feng, Jia ; Liu, Yaocheng ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-11-01), Heft 11, S. 911-913
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -