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    Vapor Phase Doping with N-type Dopant into Silicon by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Takeuchi, S. ; Nguyen, N.D. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selective Epitaxial Growth of Germanium on Si Wafers with Shallow Trench Isolation: An Approach for Ge Virtual Substrates : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Wang, G. ; Leys, F.E. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Electrical Activity of Dislocations and Defects in Strained Si and Ge Based Devices : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Simoen, E.R. ; Eneman, G. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Evaluation of DiMethylAminoGermaniumTetraChloride as a Novel Carbon-Dopant and Germanium Precursor for Germanium and Silicon Germanium Chemical Vapor Deposition : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Leys, F.E. ; Liu, C. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High Hole Mobility SGOI Substrates Obtained by the Germanium Condensation Technique : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Souriau, L. ; Nguyen, T. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Prediction of punching shear failure behaviour of slab-edge column connections with varying size and location of openings : Australasian conference on the mechanics of structures and materials; Progress in mechanics of structures and materials
    Garda, V. ; Guan, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE AUSTRALASIAN CONFERENCE ON THE MECHANICS OF STRUCTURES AND MATERIALS, Jg. CONF 19 (2006), S. 651-658
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Fatigue behaviour of CFRP-repaired corroded RC beams : Australasian conference on the mechanics of structures and materials; Progress in mechanics of structures and materials
    Loo, M.K.Y. ; Foster, S.J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE AUSTRALASIAN CONFERENCE ON THE MECHANICS OF STRUCTURES AND MATERIALS, Jg. CONF 19 (2006), S. 687-692
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Damping in high strength concrete beams - prediction and comparison : Australasian conference on the mechanics of structures and materials; Progress in mechanics of structures and materials
    Chowdhury, S.H. ; Loo, Y.C.
    In: PROCEEDINGS OF THE AUSTRALASIAN CONFERENCE ON THE MECHANICS OF STRUCTURES AND MATERIALS, Jg. CONF 19 (2006), S. 631-636
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    N+/P and P+/N Junctions in Strained Si on Strain Relaxed SiGe Buffers: The Effect of Defect Density and Layer Structure : Semiconductor defect engineering-materials, synthetic structures and devices
    Eneman, G. ; Simoen, E. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 864 (2005), S. 119-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Bifurcation and Trifurcation of a Kirkendall Plane during Multiphase Interdiffusion : International conference on diffusion in materials; DIMAT 2004
    Paul, A. ; Kodentsov, A. A. ; et al.
    In: DIFFUSION AND DEFECT DATA PART A DEFECT AND DIFFUSION FORUM, Jg. 237-240 (2005), Heft 2, S. 813-824
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Maximization of Active As Doping in (selective) Epitaxial Si and SiGe Layers : SiGe: materials, processing, and devices
    Loo, R. ; Bajolet, P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 7 (2004), S. 1123-1134
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Selective Epitaxy of Si and SiGe for Advanced Applications: Possibilities and Limitations : SiGe: materials, processing, and devices
    Caymax, M. ; Loo, R.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 7 (2004), S. 815-824
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Strained Silicon on Relaxed SiGe Made by Ion Implantation and Strain Transfer (Invited) : SiGe: materials, processing, and devices
    Mantl, S. ; Buca, D. M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 7 (2004), S. 731-740
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Nanoshells for integrated diagnosis and therapy of cancer (Invited Paper) [5593-51] : Nanosensing: materials and devices
    Lin, A. W. H. ; Loo, C. H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 5593 (2004), S. 308-316
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The Role of Preamorphization and Activation for Ultra Shallow Junction Formation on Strained Si Layers Grown on SiGe Buffer : High-mobility group-IV materials and devices
    Pawlak, B. J. ; Vandervorst, W. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 281-286
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Thermal Migration of Ge During Junction Formation in s-Si Layers Grown on Thin SiGe-Buffer Layers : High-mobility group-IV materials and devices
    Vandervorst, W. ; Pawlak, B. J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 273-280
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis of Junctions Formed in Strained Si/SiGe Substrates : High-mobility group-IV materials and devices
    Eneman, G. ; Simoen, E. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 187-192
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    (Selective) Epitaxial Growth of Strained Si to Fabricate Low Cost and High Performance CMOS Devices : High-mobility group-IV materials and devices
    Loo, R. ; Delhougne, R. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 3-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The Use of Ion Implantation and Annealing for the Fabrication of Strained Silicon on Thin SiGe Virtual Substrates : High-mobility group-IV materials and devices
    Buca, D. ; Morschbacher, M. J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 809 (2004), S. 15-26
    Konferenz
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    The Kirkendall Effect in Multiphase Interdiffusion : Diffusion, segregation and stresses in materials
    Paul, A. ; van Dal, M. J. H. ; et al.
    In: DIFFUSION AND DEFECT DATA PART A DEFECT AND DIFFUSION FORUM, Jg. 216-217 (2003), S. 65-72
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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